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© STMicroelectronics Komponenten | 05 Oktober 2022

STMicro baut SiC-Substratwerk in Italien

STMicro hat den Bau der ersten Produktionsstätte für SiC-Epitaxiesubstrate in Europa angekündigt. Mit dem Schritt wolle man Kunden aus dem Automobil- und Industriebereich bei der Umstellung auf Elektrifizierung und höhere Effizienz unterstützen, heißt es in einer Pressemitteilung.

Nach Angaben des Unternehmens wird die SiC-Substrat-Fertigungsanlage, die am ST-Standort Catania in Italien neben der bereits bestehenden SiC-Bauelemente-Fertigungsanlage errichtet wird, die erste ihrer Art in Europa sein. Sie wird sich auf die Massenproduktion von 150-mm-SiC-Epitaxiesubstraten konzentrieren und alle Schritte des Produktionsflusses integrieren. Wie ST weiter mitteilt, habe man sich verpflichtet, in Zukunft 200-mm-Wafer zu entwickeln.

„ST ist dabei, seine globalen Produktionsabläufe umzugestalten, mit zusätzlichen Kapazitäten in der 300-mm-Fertigung und einem starken Fokus auf "Bandgap Semiconductor", um sein Umsatzziel von mehr als 20 Milliarden US-Dollar zu erreichen. Wir erweitern unseren Betrieb in Catania, wo wir bereits Forschung, Entwicklung und Fertigung von SiC in enger Zusammenarbeit mit italienischen Forschungseinrichtungen, Universitäten und Zulieferern integriert haben. Diese neue Anlage wird der Schlüssel zu unserer vertikalen Integration im Bereich SiC sein und unser Angebot an SiC-Substraten verstärken, da wir die Stückzahlen weiter erhöhen, um unsere Kunden aus der Automobilbranche und der Industrie bei ihrer Umstellung auf Elektrifizierung und höhere Effizienz zu unterstützen", sagt Jean-Marc Chery, Präsident und Chief Executive Officer von STMicroelectronics. 

Die Investition in Höhe von 730 Millionen Euro über einen Zeitraum von fünf Jahren wird vom italienischen Staat im Rahmen des Nationalen Konjunkturprogramms finanziell unterstützt und wird bei vollständigem Betrieb rund 700 direkte zusätzliche Arbeitsplätze schaffen. Die Produktion wird voraussichtlich im Jahr 2023 anlaufen, was eine ausgewogene Versorgung mit SiC-Substrat zwischen interner und kommerzieller Versorgung ermöglichen werde.

STs STPOWER-SiC-Produkte werden derzeit in Produktionsstätten in Catania und Ang Mo Kio (Singapur) hergestellt. Die Montage und der Test erfolgen an Back-End-Standorten in Shenzhen (China) und Bouskoura (Marokko). Die Investition in diese SiC-Substrat-Fertigungsanlage sei ein Schritt in Richtung des Ziels von ST, bis 2024 40 Prozent der Substrate intern zu beziehen.

Die Europäische Kommission hat Italiens Unterstützung für den Bau der Halbleiter-Fabrik abgesegnet.

„Die genehmigte italienische Maßnahme wird Europas Halbleiter-Lieferkette stärken und uns dabei helfen, unseren grünen und digitalen Übergang zu schaffen", so Wettbewerbs-Kommissarin Margrethe Vestager. 

 

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