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© X FAB Komponenten | 12 September 2022

X-FAB und IHP Leibniz-Institut schließen Lizenzvereinbarung

X-FAB Silicon Foundries wird die langjährige Partnerschaft mit dem Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik ausbauen. Im Rahmen einer neuen Vereinbarung lizenziert X-FAB die hochmoderne SiGe-Technologie des IHP. Damit würden die Leistungsvorteile dieser Technologie auch für Kunden mit Großserienfertigung zur Verfügung stehen, heißt es in einer Pressemitteilung.

Die neu geschaffene 130-nm-Plattform stärke das Technologieportfolio von X-FAB und biete eine einzigartige Lösung, die die hohen Leistungsparameter erziele, die für kommende Anforderungen im Bereich Kommunikationstechnik erforderlich seien. Beispiele für Anwendungen, die von dieser Technologie profitieren, sind Wi-Fi 6 (und zukünftig Wi-Fi 7) Access Points (APs), kommende Mobilfunk-Infrastrukturen (insbesondere 5G mmWave und baldige 6G-Standards) und die Vehicle-to-Vehicle-/V2V-Kommunikation. 

Diese Lizenzvereinbarung folgt auf die bereits 2021 begonnene Zusammenarbeit, als das Kupfer-Backend von X-FAB zu IHPs Frontend-Technologien SG13S und SG13G2 hinzugefügt wurde, um die unterstützten Bandbreiten zu erhöhen. Im Zusammenhang mit dieser SiGe-Plattform wird X-FAB im vierten Quartal 2022 mit ausgewählten Erstanwendern Prototyping-Projekte durchführen. Ein Early-Access-PDK ermöglicht die Fertigung von Prototypen, während die Serienfertigung bei X-FAB France erfolgt, der Fertigungsstätte des Unternehmens in der Nähe von Paris.

„Die Einbindung der Heterojunction-Bipolar-Transistoren (HBTs) von IHP in die HF-Plattform von X-FAB wird den Kunden eine differenzierte SiGe-BiCMOS-Technologie bieten, die weitere Leistungsvorteile mit sich bringt. Der Technologietransfer zwischen unseren beiden Organisationen ist ein gutes Beispiel, wie Industrie und Forschungseinrichtungen zusammenarbeiten, um hervorragende Ergebnisse zu erzielen“, sagt Prof. Dr. Gerhard Kahmen, wissenschaftlicher Direktor des IHP.

„Diese jüngste SiGe-Ankündigung läutet nun eine neue, spannende Phase ein und ist der Ausgangspunkt für weitere Neuerungen rund um SiGe BiCMOS, die dazu beitragen werden, den Kommunikationssektor in den kommenden Jahren zu definieren und Anwendungen in der Industrieautomation, sowie für den Konsumgüter- und Automobilbereich abzudecken“, ergänzt Dr. Greg U'Ren, RF Technology Director bei X-FAB.

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2022.10.05 12:09 V20.8.44-1