Infineon erweitert Lieferantenbasis für Siliziumkarbid-Wafer
Die Infineon Technologies AG und II-VI Incorporated haben einen mehrjährigen Liefervertrag für Siliziumkarbid- (SiC-) Wafer unterzeichnet. Damit sichert sich der Halbleiterhersteller einen weiteren Zugang zum strategischen Halbleitermaterial, um die stark steigende Kundennachfrage in diesem Bereich zu bedienen.
Diese Vereinbarung ist Teil der Multi-Sourcing-Strategie von Infineon und erhöhe die Resilienz der Lieferkette, teilt das deutsche Unternehmen mit. Die ersten Lieferungen seien bereits erfolgt.
SiC ist eine Verbindung aus Silizium und Kohlenstoff, die besonders effiziente und robuste Leistungshalbleiter mit einem hervorragenden Kosten-Nutzen-Verhältnis auf der Systemebene ermöglicht. Unter dem Markennamen CoolSiC™ vertreibt Infineon schon bereits das branchenweit größte Portfolio für Industrieanwendungen. Neben Photovoltaik-Umrichtern und in der Industrie-Stromversorgung kommen die Vorteile von SiC vor allem auch im Bereich der Elektromobilität zum Tragen. SiC-Leistungshalbleiter werden dort im Hauptumrichter für den Antriebsstrang von E-Fahrzeugen, in der Onboard-Batterieladeeinheit und in der Ladeinfrastruktur eingesetzt. Als strategische Partner arbeiten II-VI und Infineon auch beim Übergang zu SiC-Wafern mit 200 mm Durchmesser zusammen.
„SiC-Verbindungshalbleiter setzen neue Standards bei Leistungsdichte und Effizienz. Mit ihnen setzen wir unsere Strategie der Dekarbonisierung und Digitalisierung um. Infineon investiert verstärkt in seine SiC-Fertigungskapazitäten, um die schnell wachsende Nachfrage unserer Kunden zu bedienen. Wir freuen uns, dass wir mit II-VI unsere strategische Lieferantenbasis erweitern und unser Geschäft gemeinsam ausbauen können“, sagt Angelique van der Burg, Chief Procurement Officer bei Infineon.
„Infineon ist als Marktführer bei Leistungshalbleitern für uns ein wichtiger Partner. Mit unseren hochspezialisierten Produkten unterstützen wir Infineon dabei, Schlüsselkunden weltweit mit innovativen Elektronik-Komponenten zu bedienen“, so Sohail Khan, Executive Vice President, New Ventures & Wide-Bandgap Electronics Technologies bei II-VI.
Infineon erwartet, dass sein Umsatz mit SiC-Halbleitern in der ersten Hälfte des Jahrzehnts um durchschnittlich mehr als 60 Prozent pro Jahr wachsen und bis Mitte des Jahrzehnts rund 1 Milliarde US-Dollar erreichen wird. Für die zweite Hälfte des Jahrzehnts erwartet Infineon eine anhaltende Wachstumsdynamik. Das Unternehmen investiert dafür, wie kürzlich angekündigt, in einen zusätzlichen Produktionsblock in Kulim, Malaysia.
