Samsung macht ersten Spatenstich für Halbleiter-F&E-Komplex
Der südkoreanische Elektronikriese wird nach eigenen Angaben bis 2028 20 Billionen KRW, umgerechnet 14,9 Milliarden Euro, in den Bau eines neuen Forschungs- und Entwicklungskomplexes in Giheung in Südkorea investieren. Der geplante Komplex wird eine Fläche von etwa 109.000 Quadratmetern auf dem Giheung-Campus einnehmen.
Wie das Unternehmen in einer Pressemitteilung mitteilt, wird die neue Einrichtung die Spitzenforschung zu Bauelementen und Prozessen der nächsten Generation für Speicher- und Systemhalbleiter sowie die Entwicklung neuer Technologien auf der Grundlage einer langfristigen Roadmap leiten.
„Unser neuer, hochmoderner Forschungs- und Entwicklungskomplex wird ein Zentrum für Innovationen werden, in dem die besten Forschungstalente aus der ganzen Welt zusammenkommen und zusammenwachsen können. Wir gehen davon aus, dass dieser Neubeginn den Grundstein für ein nachhaltiges Wachstum unseres Halbleitergeschäfts legen wird", sagt Präsident Kye Hyun Kyung, der auch den Geschäftsbereich Device Solutions leitet.
Mit der Einrichtung der neuen F&E-Einrichtung will Samsung Electronics die Grenzen der Halbleiterskalierung überwinden und seinen Wettbewerbsvorsprung in der Halbleitertechnologie festigen. Es wird erwartet, dass die neue F&E-Einrichtung in Giheung zusammen mit der F&E-Linie in Hwaseong und dem riesigen Halbleiterproduktionskomplex in Pyeongtaek die Synergie zwischen den drei wichtigsten Halbleiterkomplexen von Samsung in der Metropolregion erhöhen wird, heißt es in der Mitteilung.
