AIXTRON unterstützt US-Spitzenuniversität in den USA

Die hochmoderne MOCVD-Beschichtungsanlage ist so konfiguriert, dass sie sowohl Galliumoxid als auch Galliumnitrid (GaN)-basierte Materialien verarbeiten kann. Beide Materialien sind als Materialien mit breiter und ultrabreiter Bandlücke qualifiziert - Galliumoxid und seine Legierungen können bei höheren Spannungen, Frequenzen und Temperaturen arbeiten als die herkömmlichen Halbleitermaterialien. Diese Eigenschaften würden neue Anwendungen in den Bereichen Fotodioden und Leistungsschalter ermöglichen, heißt es weiter.

Die AIXTRON MOCVD-Anlage könne leicht von Galliumoxid- auf Galliumnitrid-Betrieb umgeschaltet werden, was einen sicheren, fehlerfreien Betrieb der Anlage ermögliche. Das Herzstück der MOCVD-Anlage ist ein fortschrittlicher Dreifach-Plenum-Showerhead, der dafür sorgt, dass die oxidierenden Materialien bis zur Injektion in die Prozesskammer vollständig von den metallorganischen und gasförmigen Vorläufern getrennt bleiben. Das System gewährleiste ein hohes Maß an thermischer Gleichmäßigkeit durch das ARGUS-Temperaturmapping über den Suszeptor und sei daher perfekt für High-End-Forschung und -Entwicklung ausgelegt - sowohl in akademischen Einrichtungen als auch in innovativen Privatunternehmen, heißt es in der Mitteilung.

„Wir haben in der Vergangenheit sehr gute Erfahrungen mit AIXTRONs CCS-Reaktoren für GaAs und InP-Materialien gemacht. Wir freuen uns auf die Zusammenarbeit mit AIXTRON bei der Entwicklung neuartiger Epitaxieschichten und Bauelemente mit dieser flexiblen Anlage für die beiden Materialien Ga₂O₃ und GaN", sagt Professor Xiuling Li, Stiftungsprofessor im Fachbereich Elektrotechnik und Computertechnik an der University of Texas in Austin und ebenfalls IEEE-Fellow. 

„Dieser einzigartige MOCVD-Reaktor für die Deposition von Galliumoxid und III-Nitriden wird die University of Texas an die Spitze der Forschung in diesem Bereich bringen", so Professor Sanjay Banerjee, Lehrstuhlinhaber und Direktor des MRC.