Nanya macht Spatenstich für neue Produktionsstätte in Taiwan
Die Nanya Technology Corporation hat den ersten Spatenstich für ihre neue Halbleiterfabrik im Nanlin Technology Park von New Taipei City gesetzt. Nach der Fertigstellung soll die Investition in Höhe von umgerechnet 9,6 Milliarden Euro zu einer hochmodernen Produktionsstätte mit einem doppelstöckigen Reinraum führen, berichtet dass Unternehmen.
Mit der neuen Fabrik reagiert das Unternehmen auf die langfristige Marktnachfrage. Die neue Halbleiterfabrik werde eine "Main Fab", ein "R&D Center" und ein "Water Recycle Center" umfassen. Außerdem werde ein unabhängiges Gebäude mit EUV-Lithographieanlagen für künftige fortschrittliche Prozesse errichtet, teilt das Unternehmen in einer Pressemitteilung mit.
Laut Nanya wird die neue Fabrik es dem Unternehmen ermöglichen, mehrere Generationen der selbst entwickelten Prozesstechnologie der 10-nm-Klasse (1A, 1B, 1C, 1D) zu implementieren und die KI-Technologie anzupassen, um die Produktionsleistung zu verbessern. Der Investitionsplan sieht drei Phasen vor, um eine Kapazität von etwa 45.000 Wafern pro Monat zu erreichen. Das Wachstum der DRAM-Bits soll nach Fertigstellung 120 Prozent betragen und einen geschätzten jährlichen Produktionswert von umgerechnet 2,23 Milliarden Euro schaffen.
Der Bau soll bis 2025 abgeschlossen sein und 3.000 neue High-Tech-Arbeitsplätze schaffen, gleichzeitig auch Tausende von zusätzlichen indirekten Arbeitsplätzen unterstützen.
„Für die Innovation der DRAM-Technologie hat Nanya das Dreifache an F&E-Ausgaben investiert. Ein Team von mehr als 1.000 F&E-Mitarbeitern hat insgesamt mehr als 5.000 Patente eingereicht. Die Volumenproduktion der ersten Generation des 10nm-Technologieprozesses (1Anm) wird für 2022 erwartet, während die zweite Generation (1Bnm) bereits mit der Testproduktion begonnen hat. Die dritte Generation (1Cnm) und die EUV-Technologie für die vierte Generation (1Dnm) befinden sich in der Entwicklung", sagt der Vorsitzende von Nanya Technology, Chia-Chau Wu, in der Pressemitteilung.
