© Nexperia
Komponenten |
Nexperia setzt auf AIXTRON- Anlagen
Nexperia baut auf die Produktionstechnologie von AIXTRON SE beim Einstieg in den Markt für Hochleistungs-SiC-Bauelemente. Für die Serienproduktion der Siliziumkarbid-Epi-Wafer für SiC-Leistungsbauelemente benötigt Nexperia eine auch bei hohen Stückzahlen gleichbleibende Qualität der Epi-Wafer. Gleichzeitig könnten die Kosten in der Fertigung der SiC-Bauelemente durch den hohen Durchsatz reduziert werden, heißt es in einer Mitteilung.
Als Unternehmen auf dem Gebiet der Serienproduktion von Halbleiterbauelementen plant Nexperia nach dem Eintritt in den SiC-Dioden-Markt die kontinuierliche Erweiterung seines Portfolios an Siliziumkarbid-Bauteilen. AIXTRON, als Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, erfüllt mit der vollautomatischen AIX G5 WW C-Plattform die hohen Qualitätsansprüche an die Siliziumkarbid-Wafer für die Leistungselektronik.
Wide-Band-Gap-Halbleiter wie Galliumnitrid und Siliziumkarbid verfügen über einzigartige physikalische Eigenschaften. Sie ermöglichen eine hohe Leistungsdichte und Effizienz bei niedrigeren System- und Betriebskosten. Auch die SiC-Technologie ist jetzt so weit fortgeschritten, dass sie die strengen Anforderungen bei der Massenproduktion von Bauelementen für moderne Konsum- und Industriegüter erfüllt. „Deshalb ist jetzt die Zeit reif für unseren nächsten strategischen Schritt, die Erweiterung unseres Portfolios um Leistungshalbleiterbauelemente auf Basis von Siliziumkarbid“, sagt Mark Roeloffzen, General Manager der Bipolar Discretes Group bei Nexperia.
Seit Jahrzenten arbeitet AIXTRON mit führenden Instituten und Industriepartnern weltweit an der Nutzung der Vorteile neuer Verbindungshalbleiter-Materialklassen wie SiC und GaN für die Leistungselektronik und erschließt mit neuesten Produktionstechnologien auch die Nutzung von 200mm-Wafern. Der Planetary Reactor® der neuesten Generation von AIXTRON ist speziell auf die sehr hohen Anforderungen der SiC-Leistungselektronik zugeschnitten. Die Anlage sichere die notwendige exzellente Qualität der Epitaxie-Schichten auf den Wafern und wurde deshalb von Marktführern im Bereich Siliziumkarbid für die Fertigung von SiC-Bauelementen qualifiziert.
Zu Beginn des Jahres hatte Nexperia bereits begonnen, sowohl in die Erweiterung seiner Produktionskapazitäten als auch in Forschung und Entwicklung weltweit umfangreich zu investieren. Im Rahmen der globalen Wachstumsstrategie sind für Europa in diesem Jahr unter anderem Effizienzsteigerungen bei der Produktion und die Implementierung neuer 200mm-Technologien in den europäischen Wafer-Fabriken in Hamburg, Manchester und Newport geplant.
