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Markt |

AT&S investiert in neues Werk in Malaysia

AT&S erweitert mit dem aktuellen Expansionsschritt, einem neuen Werk für IC-Substrate, seine Präsenz und wird zukünftig auch in Malaysia vertreten sein. Das hat das Unternehmen jetzt mitgeteilt.

Das neue AT&S-Werk von AT&S wird im Kulim Hi-Tech Park, im Bundesstaat Kedah, errichtet. Dort werden in Zukunft High-End-Leiterplatten und IC-Substrate produziert. Die Gesamtinvestition beträgt rund 1,7 Mrd. Euro und es werden 5.000 High-Tech-Arbeitsplätze geschaffen. Zudem wurde eine universitäre Forschungskooperation zwischen AT&S, der TU Graz und malaysischen Universitäten beschlossen und ein Memorandum of Understanding unterzeichnet. „Wir legen unseren Fokus auf ein Werk, das die neueste Generation von High-End-Technologien ins Land bringt und mit dem ein ganz neuer Technologiesektor aufgebaut wird“, sagt AT&S-CEO Andreas Gerstenmayer. Da neben der Herstellung von Hightech-Produkten an diesem neuen Standort auch ein erheblicher Teil der F&E-Aktivitäten durchgeführt werden, setzte man auch stark auf universitäre Kooperationen. „Wir sind vom Potenzial und den Fähigkeiten der malaysischen Wissenschaftler und Studenten überzeugt und wollen die Zusammenarbeit vertiefen“. „Hätten wir nicht auf Internationalisierung gesetzt, gäbe es die AT&S in Österreich nicht mehr und wir wären nicht zu einem weltweit führenden Unternehmen in der Mikroelektronik-Branche aufgestiegen“, sagt der Vorsitzende des AT&S-Aufsichtsrats, Hannes Androsch. „Das neue Werk in Malaysia wird unseren Erfolgsweg nicht nur verlängern, sondern unsere Standorte inklusive dem Headquarter in Leoben sichern und zu einem Ausbau und einem enormen Beschäftigtenzuwachs führen.“ AT&S tätigt mit dem Bau des neuen Werkes in Malaysia die größte Investition der Unternehmensgeschichte und werde im Vollausbau zu den globalen Top-Playern bei High-End IC Substraten gehören. Es werde erwartet, dass Malaysia damit einen wichtigen Schritt in Richtung Weltmarktführerschaft in der Mikroelektronik machen wird.

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2024.04.25 14:09 V22.4.31-2
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