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© ROHM Semiconductor Komponenten | 19 Januar 2021

Neues ROHM-Gebäude: Erweiterung der Produktionskapazität für SiC-Leistungshalbleiter

ROHM hat die Fertigstellung eines neuen Gebäudes in seinem Apollo-Werk im japanischen Chikugo bekannt gegeben. Das Unternehmen steigert damit die Produktionskapazität für SiC-Leistungshalbleiter.

Das neue Gebäude ist eine hochmoderne, umweltfreundliche Fabrik, die in ihren Produktionsanlagen eine Reihe von energiesparenden Technologien einsetzt und deren Strom zu 100% aus erneuerbaren Energiequellen stammt. Darüber hinaus hat ROHM sein BCM-System (Business Continuity Management) durch die Einführung verschiedener Katastrophenschutzmaßnahmen gestärkt. Ab Januar 2021 wird das Unternehmen Produktionsanlagen installieren und ein Fertigungssystem aufbauen, das die mittel- bis langfristig steigende Nachfrage nach SiC-Leistungshalbleitern abdeckt. ROHM stellt seit 2010 SiC-Leistungshalbleiter einschließlich SiC-SBDs und -MOSFETs in Serie her. Das Unternehmen ist in der Branche weiterhin führend in der technologischen Entwicklung. Gleichzeitig arbeitet ROHM mit einem integrierten Produktionssystem daran, die Produktionseffizienz durch die Vergrößerung des Wafer-Durchmessers und den Einsatz modernster Anlagen zu verbessern und dabei auch die Umweltauswirkungen zu reduzieren. Des Weiteren soll die SiCrystal GmbH, ein Unternehmen der ROHM-Gruppe, das SiC-Wafer fertigt, ab dem nächsten Geschäftsjahr vollständig mit erneuerbarer Energie betrieben werden. Ziel ist es, die CO2-Emissionen aus zugekauftem Strom im Werk auf Null zu reduzieren. Alle wichtigen Produktionsprozesse für SiC-Wafer werden dann mit umweltfreundlicher erneuerbarer Energie betrieben.
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2021.05.12 10:24 V18.17.4-1