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© ROHM Semiconductor Komponenten | 15 Dezember 2020

UAES und ROHM eröffnen gemeinsames Laboratorium für SiC-Technologie

ROHM und United Automotive Electronic Systems Co., Ltd (UAES), ein chinesischer Tier-1-Automobilhersteller, eröffnen ein gemeinsames Labor für SiC-Technologie (Siliziumkarbid) am Hauptsitz von UAES in Shanghai, China.

SiC-Leistungshalbleiter kommen verstärkt in den Bereichen Elektrofahrzeuge, Infrastruktur, Umwelt/Energie und Industrieausrüstung zum Einsatz. Diese Komponenten bieten im Vergleich zu Leistungsbauelementen auf Siliziumbasis wesentliche Vorteile. Dazu gehören deutlich geringere Schalt- und Leitungsverluste, sowie eine höhere Temperaturfestigkeit. ROHM und UAES arbeiten bereits seit 2015 zusammen und führen einen detaillierten technischen Austausch über Automobilanwendungen mit SiC-Leistungsbauelementen durch. Nach vielen Jahren des fachlichen Dialogs wurden Anfang dieses Jahres Automobilprodukte mit SiC-Leistungshalbleitern von ROHM auf den Markt gebracht. Das neue gemeinsame Labor enthält umfangreiches Equipment für die Evaluierung von Bauelementen und Anwendungen für die der Automobilindustrie, zum Beispiel Onboard-Ladegeräte und DC/DC-Wandler, heisst es in einer Pressemitteilung. Die Unternehmen stärken damit ihre Partnerschaft und beschleunigen die Entwicklung innovativer Stromversorgungslösungen auf der Basis von SiC. Guo Xiaolu, Deputy General Manager, United Automotive Electronic Systems Co., Ltd., states: „Wir haben unsere Zusammenarbeit mit ROHM, einem führenden Hersteller von Halbleitern, der seit 2015 SiC-Leistungsbauelemente im Programm hat, weiter ausgebaut. Nach vielen Jahren des technischen Austauschs freuen wir uns, dieses Jahr die erfolgreiche Entwicklung und Massenproduktion von Automobilanwendungen mit SiC-Leistungsbauelementen bekannt geben zu können. Die Eröffnung des gemeinsamen Labors ist ein Beweis für die sich vertiefende Beziehung zwischen unseren beiden Unternehmen. Wir freuen uns auf weitere technische Unterstützung durch das neue Labor.“ Dr. Kazuhide Ino, CSO und Senior Director of Power Device Business, ROHM Co., Ltd., addes: „Wir freuen uns, dass wir mit UAES, einem Tier-1-Hersteller von Automobilanwendungen, ein gemeinsames Labor eröffnet haben. Als bedeutender Anbieter von SiC-Leistungsbauelementen entwickelt ROHM industrieweit führende Komponenten und verfügt über eine beachtliche Erfolgsbilanz bei der Bereitstellung von Stromversorgungslösungen, die Peripheriekomponenten wie Treiber-ICs kombinieren. Im schnell expandierenden Automobilsektor wird die auf Kundenbedürfnisse und Markttrends zugeschnittene Forschung ein wichtiger Faktor. In diesem Umfeld werden wir unsere Partnerschaft durch das gemeinsame Forschungslabor weiter stärken und mit Stromversorgungslösungen auf der Basis von SiC zur technischen Innovation im Automobilsektor beitragen.“
Foto: Guo Xiaolu (rechts), Deputy General Manager, UAES, und Raita Fujimura (links), Chairman, ROHM Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd., beim Austausch von Geschenken während der Eröffnungsfeier
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