ON Semiconductor beliefert Danfoss mit High Power IGBTs

Bereits seit Jahrzehnten unterstützt Danfoss Silicon Power Hersteller und Systemlieferanten bei der Einhaltung strenger Zuverlässigkeits-, Design- und Kostenziele durch die Konzeption, Entwicklung und Herstellung kundenspezifischer Leistungsmodule für Automobil-, Industrie- und erneuerbare Anwendungen. „Die Chip-Unabhängigkeit ist ein wichtiges und grundlegendes Element der Markteinführungsstrategie von Danfoss Silicon Power. Mit der Auswahl von IGBT-Chips von ON Semiconductor tragen wir den hohen Wachstumserwartungen unserer Automobilkunden Rechnung", so Claus A. Petersen, Senior Vice President und General Manager, in einer Pressemitteilung. „Unser Hauptziel ist es, Leistungsmodule von Weltklasse zu entwickeln, die genau auf die jeweilige Anwendung zugeschnitten sind. Wir freuen uns über eine langfristige und starke Geschäftsbeziehung mit ON Semiconductor". ON Semiconductor wird die Hochleistungskomponenten in Produktionsstätten in East Fishkill (New York) und Bucheon (Südkorea) herstellen. Danfoss wird seine Power-Module in Flensburg und Utica (New York) fertigen. „Mit Investitionen in Energietechnologien und Fertigungskapazitäten weltweit bekräftigt ON Semiconductor die feste Absicht, der Top-Lieferant von Automotive High Power Devices zu sein", ergänzt Asif Jakwani, Senior Vice President der Advance Power Division bei ON Semiconductor.