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© GT Advanced Technologies Markt | 19 März 2020

GT Advanced Technologies und ON Semiconductor schließen 50-Millionen-Dollar-Vertrag

GT Advanced Technologies (GTAT) und ON Semiconductor haben heute den Abschluss eines Fünfjahresvertrags im Wert von 50 Millionen US-Dollar bekannt gegeben. Im Zuge dieser Vereinbarung produziere und liefere GTAT sein CrystX™ Siliziumkarbid-Material (SiC) an ON Semiconductor.

„Wir freuen uns über die Partnerschaft mit ON Semiconductor, einem anerkannten weltweit führenden Anbieter von fortschrittlichen Halbleitern für Leistungselektronikanwendungen“, so Greg Knight, President und Chief Executive Officer bei GTAT. „Unsere heutige Vereinbarung hilft uns dabei, dem steilen Aufwärtstrend von SiC als bevorzugtes Halbleitersubstratmaterial für Leistungselektronikanwendungen gerecht zu werden.“ „Indem die 40-jährige Erfahrung von ON Semiconductor bei der Großserienfertigung von Wafern mit der Expertise von GTAT sowie den rasanten Fortschritten bei der Zucht von SiC-Kristallen kombiniert wird, entsteht eine robuste und skalierbare Lieferkette für den dynamischen, leistungsstarken Markt für große Bandlücken“, fügt Brent Wilson, Senior Vice President of Global Supply Chain bei ON Semiconductor, hinzu. „Wir freuen uns, mit GTAT zusammenzuarbeiten, um die SiC-Materialtechnologie mit großer Bandlücke weiter zu entwickeln“. Wachstumsstarke Anwendungen, wie beispielsweise Traktionssystem von Elektrofahrzeugen, Hybrid- und Plug-in-Elektrofahrzeuge, Solar- und Energiespeicher sowie das Laden von Elektrofahrzeugen, erfordern und benötigen ein stabiles Angebot an qualitativ hochwertigem und wettbewerbsfähigem SiC-Material. ON Semiconductor wolle den proprietären 150-mm-SiC-Kristall von GTAT zur Herstellung seiner SiC-Wafer verwenden, um seine Position als vertikal integrierter Lieferant innerhalb der SiC-Lieferkette auszubauen, heißt es abschließend.
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2020.09.21 11:08 V18.10.12-2