STMicroelectronics erwirbt Mehrheitsbeteiligung an Exagan

Exagan wird seine Produkt-Roadmap weiter ausführen und von ST bei der Einführung seiner Produkte unterstützt werden. Die genauen Bedingungen der Transaktion wurden nicht bekannt gegeben. Der Abschluss der Übernahme unterliegt weiterhin den üblichen behördlichen Genehmigungen der französischen Behörden. Die unterzeichnete Vereinbarung sieht auch die Übernahme der verbleibenden Minderheitsbeteiligung an Exagan durch ST 24 Monate nach Abschluss der Übernahme der Mehrheitsbeteiligung vor. Die Transaktion wird mit verfügbaren Barmitteln finanziert. „ST hat eine starke Dynamik im Bereich Siliziumkarbid aufgebaut und expandiert nun in einem weiteren sehr vielversprechenden Verbundmaterial, Galliumnitrid, um die Akzeptanz der auf GaN basierenden Energieprodukte bei Kunden in den Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkten zu fördern", sagte Jean-Marc Chery, Präsident und CEO von STMicroelectronics. „Die Übernahme einer Mehrheitsbeteiligung an Exagan ist ein weiterer Schritt zur Stärkung unserer globalen Technologieführerschaft bei Leistungshalbleitern und unserer langfristigen GaN-Roadmap, unseres Ökosystems und unseres Geschäfts. Sie kommt zu den laufenden Entwicklungen mit CEA-Leti in Tours, Frankreich, und der kürzlich angekündigten Zusammenarbeit mit TSMC hinzu. Exagan wurde 2014 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Grenoble (Frankreich). Das Unternehmen widmet sich dem zügigen Übergang der Leistungselektronikindustrie von der siliziumbasierten Technologie zur GaN-on-Silicon-Technology, um kleinere und effizientere elektrische Wandler zu ermöglichen.