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© dmitriy shironosov dreamstime.com Markt | 20 Februar 2020

STMicroelectronics und TSMC arbeiten bei Einführung von Produkten auf Gallium-Nitrid-Basis zusammen

STMicroelectronics und Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. arbeiten künftig zusammen, um die Entwicklung der Gallium-Nitrid-(GaN)-Prozesstechnologie und die Markteinführung von diskreten und integrierten GaN-Bauelementen zu beschleunigen. Das schreiben die Unternehmen in einer Pressemitteilung.

GaN ist ein Halbleitermaterial, das wie Siliziumkarbid für Leistungsanwendungen erhebliche Vorteile gegenüber herkömmlichen Halbleitern auf Siliziumbasis bietet. Zu diesen Vorteilen gehört eine größere Energieeffizienz bei höherer Leistung, was zu einer erheblichen Reduzierung der Leistungsverluste und kleineren Geräten führt. Darüber hinaus schalten GaN-basierte Bauelemente mit bis zu zehnmal schneller als siliziumbasierte Bauelemente und können bei höheren Maximaltemperaturen arbeiten. Durch diese Materialeigenschaften eigne sich GaN ideal für den breiten Einsatz in fortschrittlichen Automobil-, Industrie-, Telekommunikations- sowie in spezifischen Consumeranwendungen sowohl in den 100V- als auch in den 650V-Clustern, heißt es weiter. Insbesondere auf dieser Technlologie basierende Leistungs-GaN-Produkte und GaN-ICs würden ST in die Lage versetzen, Lösungen für Anwendungen mit mittlerer und hoher Leistung mit einem besseren Wirkungsgrad im Vergleich zu Siliziumtechnologien auf denselben Topologien anzubieten. Das schließe Automobilkonverter und Ladegeräte für Hybrid- und Elektrofahrzeuge ein. „ST sieht eine große Chance, die Einführung der GaN-Prozesstechnologie zu beschleunigen und Leistungs-GaN-Bauelemente und GaN-ICs auf den Markt zu bringen. TSMC ist ein vertrauenswürdiger Foundry-Partner, der die anspruchsvollen Anforderungen der Zielkunden von ST an die Zuverlässigkeit und die Entwicklung der Roadmap auf einzigartige Weise erfüllen kann", sagt Marco Monti, President der STMicroelectronics Automotive and Discrete Group. „Wir freuen uns auf die Zusammenarbeit mit ST und darauf, die Anwendungen der GaN-Leistungselektronik in die industrielle und automobile Energieumwandlung einzubringen", ergänzt Dr. Zhang, Vice President of Business Development at TSMC. „TSMCs führendes Know-how in der GaN-Fertigung, kombiniert mit den Fähigkeiten STMicroelectronics im Bereich Produktdesign und Qualifizierung für die Automobilindustrie, wird eine große Verbesserung der Energieeffizienz für industrielle und automobile Leistungsumwandlungsanwendungen liefern“.
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2020.06.09 11:27 V18.6.11-2