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© edhar yralaits dreamstime.com Markt | 26 April 2019

ON Semiconductor und GLOBALFOUNDRIES haben Vereinbarung für 300mm-Fabrik im US-Bundesstaat New York

ON Semiconductor und GLOBALFOUNDRIES haben die endgültige Vereinbarung für ON Semiconductor über den Erwerb einer 300mm-Fabrik in East Fishkill, New York, getroffen. Der Gesamtpreis für die Übernahme betrage 430 Millionen US-Dollar, (ca. 385 Millionen Euro) von denen 100 Millionen US-Dollar (ca. 89,6 Millionen Euro) bei Unterzeichnung der endgültigen Vereinbarung gezahlt worden sind.

Die restlichen 330 Millionen US-Dollar (ca. 296 Millionen Euro) sollen dann Ende 2022 fließen. Zur selben Zeit werde ON Semiconductor die volle operative Kontrolle über die Fabrik übernehmen und die Mitarbeiter des Standorts zu ON Semiconductor wechseln. Der Abschluss der Transaktion steht noch unter dem Vorbehalt der behördlichen Genehmigung und anderer üblicher Abschlussbedingungen. Die Vereinbarung ermöglicht es ON Semiconductor, seine 300-mm-Produktion in der East Fishkill-Fabrik über mehrere Jahre zu erhöhen. GLOBALFOUNDRIES könne gleichzeitig seine zahlreichen Technologien auf die drei anderen 300-mm-Standorte des Unternehmens umstellen. Im Rahmen der Vereinbarung wird GLOBALFOUNDRIES bis Ende 2022 300-mm-Wafer für ON Semiconductor herstellen. Die erste Produktion von 300-mm-Wafern für ON Semiconductor soll 2020 beginnen. Die Vereinbarung beinhaltet auch eine Technologietransfer- und Entwicklungsvereinbarung sowie eine Technologielizenzvereinbarung. „Wir freuen uns, das GLOBALFOUNDRIES Fab10-Team bei ON Semiconductor begrüßen zu dürfen. Die Übernahme der 300 mm East Fishkill Fab ist ein weiterer wichtiger Schritt in Richtung Marktführerschaft bei Leistungs- und Analoghalbleitern", sagt Keith Jackson, President und Chief Executive Officer von ON Semiconductor. „ON Semiconductor ist ein idealer Partner für GLOBALFOUNDRIES und diese Vereinbarung ist ein Schritt auf unserem Weg, GLOBALFOUNDRIES zur weltweit führenden Spezialgießerei auszubauen", so CEO Tom Caulfield abschließend.
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2019.06.25 20:13 V13.3.22-2