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Vereinfachte Entwicklung von Satelliten-Subsystemen
Renesas Electronics Corporation, ein führender Anbieter hochmoderner Halbleiterlösungen, präsentiert mit ISL70591SEH und ISL70592SEH strahlungsfeste Präzisionsstromquellen-ICs, die Erregerstrom für die mehr als 300 Widerstandssensoren zur Überwachung der korrekten Funktion von Satelliten-Subsystemen liefern.
Die zwei neuen Renesas-Bausteine sind die ersten Stromquellen-ICs im Raumfahrtportfolio des Herstellers. Sie eignen sich ideal für Telemetrie, Bahnverfolgung und Kontrolle, Lage- und Bahnsteuerung sowie für Anwendungen in elektrischen Stromversorgungs-Subsystemen.
Die Bausteine ISL70591SEH und ISL70592SEH kommen in Flatpack-Keramikgehäusen mit vier Anschlüssen und liefern einen Ausgangsstrom von 100 µA bzw. 1 mA. Sie beanspruchen weniger Platz als konkurrierende Bausteine und ersetzen diskrete, meist aus drei bis fünf Komponenten bestehende Lösungen. Die kleinere Gehäusegröße erhöht die Zuverlässigkeit, da die Anregungsquelle näher am Sensor platziert wird. Die Stromquellen-ICs von Renesas reduzieren Systemfehler, da sie extrem rauscharmes Verhalten aufweisen und zudem weniger anfällig auf Temperatur und Strahlung sind. Ihre hohe Ausgangsimpedanz unterdrückt Spannungsschwankungen auf der Versorgungsleitung und ermöglicht es dem Entwickler, mehrere Stromquellen parallel zu schalten, wenn höhere Ströme benötigt werden.
Die Bausteine bieten extrem hohe Leistung unter anspruchsvollsten Umgebungsbedingungen, da sie den proprietären Renesas Silicon-on-Insulator-Prozess nutzen, der in Umgebungen mit hoher Ionen-Belastung Schutz vor SEL (Single Event Latch-up) und SEB (Single Event Burn-out) bietet. Beide Bausteine wurden auf Strahlungsfestigkeit für eine HDR (High Dose Rate) von 100 krad(Si) bzw. 75 krad(Si) bei LDR (Low Dose Rate) getestet. Darüber hinaus lassen sich die Bausteine dank des innovativen Floating-Ground-Designs zum Aufbau einer Stromquelle oder -Senke ohne Masseanschluss nutzen.
"Unsere neuen Präzisionsstromquellen-ICs bieten die hohe Leistung, den geringen Platzbedarf und die Benutzerfreundlichkeit, die Kunden für ihre Satellitendesigns benötigen“, erklärt Philip Chesley, Vice President, Industrial Analog & Power Division, Renesas Electronics Corporation. „Die Bausteine ISL70591SEH und ISL70592SEH sind eine skalierbare und äußerst zuverlässige Lösung, mit der sich das Sensor-Health-Monitoring wichtiger Raumfahrt-Subsysteme vereinfachen lässt.“
Die wichtigsten Produktmerkmale der Bausteine ISL70591SEH und ISL70592SEH
- Breiter Betriebsspannungsbereich von 3 V bis 40 V ermöglicht Betrieb ungeregelter 28 V Stromschienen
- Hohe Anfangsgenauigkeit (+V = 20 V bei 25°C); ISL70591SEH: ±0,34 %; ISL70592SEH: ±0,30 %
- Niedriger Temperaturkoeffizient von 2,25 nA/°C
- Wafer-by-wafer Strahlungsfestigkeit; HDR (High Dose Rate) (50-300 rad(Si)/s): 100 krad(Si); LDR (Low Dose Rate) (0,01 rad(Si)/s): 75 krad(Si)
- SEE-Härte: kein SEB/SEL bis LETTH, +V = 35 V, 86 MeV•cm2/mg
- Betriebstemperaturbereich -55°C bis +125°C