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© Aixtron Komponenten | 24 Juli 2018

Aixtron liefert Technologie an NexGen Power Systems

Aixtron wird NexGen Power Systems mit MOCVD-Technologie fĂŒr die weitere Entwicklung von GaN-basierten elektronischen Bauelementen beiefern.
Diese sollen den Bau kompakterer, leichterer und kostengĂŒnstigerer Leistungswandler ermöglichen. Zu diesem Zweck hat NexGen die Planetenanlage AIX G5 HT von Aixtron bestellt: Die Auslieferung ist fĂŒr Q3/2018 geplant.

In Bezug auf Ausbeute und Betriebskosten stelle die AIX G5 HT den aktuellen Standard fĂŒr alle fortgeschrittenen GaN-Anwendungen dar, heißt es in einer Pressemitteilung. Die AIX G5 HT verfĂŒge ĂŒber ein integriertes Wafer Level-Kontrollsystem und sei damit eine der effizientesten Anlagen fĂŒr die Epitaxie von GaN-on-GaN, GaN-on-Si und GaN-on-SiC fĂŒr Leistungselektronik- und RF-Anwendungen.

Dinesh Ramanathan, CEO von NexGen Power Systems, sagt: "Unsere disruptive True GaNℱ VJFET (Vertical Junction Field Effect Transistor)-Technologie ist in der Lage, die Silizium-, Siliziumkarbid- oder GaN-on-Silicon-Technologie durch höhere Durchbruchspannung, geringeren On-Widerstand und höhere Schaltfrequenz in ihrer Leistung zu ĂŒbertreffen. Die True GaNℱ Leistungsbauelemente von NexGen ermöglichen das Design von kompakten Leistungswandlern und erhöhen gleichzeitig deren Effizienz bei Anwendungen in der Stromversorgung von Rechenzentren, in Motorantrieben, Solarwechselrichtern und der Antriebstechnik fĂŒr Elektrofahrzeuge. Aixtrons Planetentechnologie in Kombination mit seinem Batch-Reaktor-Konzept wird uns sowohl die notwendige QualitĂ€tskontrolle als auch die Kosteneffizienz bieten, um eine schnelle EinfĂŒhrung unserer bahnbrechenden Leistungsbauelemente zu gewĂ€hrleisten".

"Wir freuen uns darauf, die Anstrengungen von NexGen zu unterstĂŒtzen, bestehende Leistungswandler zu revolutionieren. In den letzten Jahren haben sich unsere Planetenanlagen vom Typ AIX G5 HT einen guten Ruf als prĂ€zise, zuverlĂ€ssige und kosteneffiziente Produktionsanlagen in der Halbleiterindustrie erworben und ermöglichen eine schnellere EinfĂŒhrung von GaN-Bauelementen in den von Silizium bestimmten Markt der Leistungsbauelemente.", sagt Dr. Felix Grawert, Vorstand der Aixtron SE.
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