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© Aixtron Komponenten | 24 Juli 2018

Aixtron liefert Technologie an NexGen Power Systems

Aixtron wird NexGen Power Systems mit MOCVD-Technologie für die weitere Entwicklung von GaN-basierten elektronischen Bauelementen beiefern.
Diese sollen den Bau kompakterer, leichterer und kostengünstigerer Leistungswandler ermöglichen. Zu diesem Zweck hat NexGen die Planetenanlage AIX G5 HT von Aixtron bestellt: Die Auslieferung ist für Q3/2018 geplant.

In Bezug auf Ausbeute und Betriebskosten stelle die AIX G5 HT den aktuellen Standard für alle fortgeschrittenen GaN-Anwendungen dar, heißt es in einer Pressemitteilung. Die AIX G5 HT verfüge über ein integriertes Wafer Level-Kontrollsystem und sei damit eine der effizientesten Anlagen für die Epitaxie von GaN-on-GaN, GaN-on-Si und GaN-on-SiC für Leistungselektronik- und RF-Anwendungen.

Dinesh Ramanathan, CEO von NexGen Power Systems, sagt: "Unsere disruptive True GaN™ VJFET (Vertical Junction Field Effect Transistor)-Technologie ist in der Lage, die Silizium-, Siliziumkarbid- oder GaN-on-Silicon-Technologie durch höhere Durchbruchspannung, geringeren On-Widerstand und höhere Schaltfrequenz in ihrer Leistung zu übertreffen. Die True GaN™ Leistungsbauelemente von NexGen ermöglichen das Design von kompakten Leistungswandlern und erhöhen gleichzeitig deren Effizienz bei Anwendungen in der Stromversorgung von Rechenzentren, in Motorantrieben, Solarwechselrichtern und der Antriebstechnik für Elektrofahrzeuge. Aixtrons Planetentechnologie in Kombination mit seinem Batch-Reaktor-Konzept wird uns sowohl die notwendige Qualitätskontrolle als auch die Kosteneffizienz bieten, um eine schnelle Einführung unserer bahnbrechenden Leistungsbauelemente zu gewährleisten".

"Wir freuen uns darauf, die Anstrengungen von NexGen zu unterstützen, bestehende Leistungswandler zu revolutionieren. In den letzten Jahren haben sich unsere Planetenanlagen vom Typ AIX G5 HT einen guten Ruf als präzise, zuverlässige und kosteneffiziente Produktionsanlagen in der Halbleiterindustrie erworben und ermöglichen eine schnellere Einführung von GaN-Bauelementen in den von Silizium bestimmten Markt der Leistungsbauelemente.", sagt Dr. Felix Grawert, Vorstand der Aixtron SE.

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