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© STMicroelectronics Komponenten | 28 Juni 2017

Low-Power-Module von STMicroelectronics

Oberflächenmontierbare, intelligente Low-Power-Module von STMicroelectronics sparen Platz in energieeffizienten Antrieben.
Das ist eine Produktank√ľndigung von STMicroelectronics. Allein der Emittent ist f√ľr den Inhalt verantwortlich.
STMicroelectronics hat seine SLLIMM‚ĄĘ-nano-Familie durch f√ľnf neue, platzsparende und oberfl√§chenmontierbare Intelligent Power Module (IPMs) erweitert. Damit besteht jetzt die Auswahl unter IGBT- und MOSFET-Ausg√§ngen f√ľr den Einbau in den Motor oder andere Antriebs-Anwendungen mit beengten Platzverh√§ltnissen. Das Leistungsspektrum reicht von sehr geringen Werten bis 100 W. Die neuen Module punkten mit hoher Leitungs- und Schalteffizienz speziell in hart schaltenden Schaltungen mit Frequenzen bis zu 20 kHz. Die integrierte Gatetreiberschaltung ist durch Beeinflussung der Schaltspannungen und der Steilheit der Stromflanken (dV/dt bzw. di/dt) f√ľr minimale elektromagnetische Emissionen (EMI) ausgelegt. Das thermisch effiziente Geh√§use kommt der Zuverl√§ssigkeit zugute und erm√∂glicht Designs ohne K√ľhlk√∂rper. Dank der 2,7 mm betragenden Kriechstrecke und der Luftstrecke von 2,0 mm ist au√üerdem die Sicherheitsisolation im kompakten Dual-Inline-SMD-Footprint gew√§hrleistet. Die Anschlussbelegung der Module ist f√ľr ein einfaches Leiterplatten-Layout optimiert. Ein breites Anwendungsgebiet im privaten und industriellen Bereich, von kleinen L√ľftern √ľber Rollladenantriebe, K√ľhlschrank-Kompressoren, Geschirrsp√ľlmaschinen, Abwasser- und Umw√§lzpumpen bis zu allgemeinen Antrieben geringer Leistung kann von den kleinen Abmessungen, der hohen Energieeffizienz, der ausgezeichneten Zuverl√§ssigkeit und dem sicheren, st√∂rungsarmen Betrieb der neuen IPMs von ST profitieren. Als zus√§tzliche Features, die neben dem Gatetreiber und dem Array aus 500-V-MOSFET oder 600-V-IGBT/Freilaufdiode integriert sind, gibt es einen frei verf√ľgbaren Operationsverst√§rker und einen Komparator, die den Designern die M√∂glichkeit zur Implementierung fortschrittlicher Strommess-Funktionen und √úberstromschutz-Vorrichtungen mit einem minimalen Aufwand an externen Bauteilen bieten. Eine intelligente Shutdown-Funktion mit schneller Fehlererkennung, Interlocking und eine Unterspannungs-Sperre sind ebenfalls eingebaut. Integrierte Bootstrap-Dioden vereinfachen die Stromversorgung der Gateansteuerungs-Schaltungen im Modul. Die neuen SLLIMM-nano Power Module der Typen STIPNS1M50T-H, STIPNS2M50T-H, STIPNS2M50-H, STGIPNS3H60T-H und STGIPNS3HD60-H bieten die Auswahl unter Nennstr√∂men von 1 A, 2 A und 3 A (bei 25 ¬įC). Alle Module werden als vollst√§ndig vergossene, oberfl√§chenmontierbare Bauelemente der Bauform NSDIP-26L angeboten. Entwicklungsmuster sind umgehend verf√ľgbar. Die Massenfertigung beginnt im vierten Quartal 2017. Die Preise beginnen bei 5,- US-Dollar (ab 1.000 St√ľck) f√ľr den STIPNS1M50T-H. Weitere Informationen auf www.st.com/ipm.
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2019.02.15 09:57 V12.1.1-2