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© Infineon Komponenten | 20 Juni 2017

Infineon: IGBT mit hoher Leistungsdichte

IGBT mit hoher Leistungsdichte im TO-247PLUS-GehÀuse.
Das ist eine ProduktankĂŒndigung von Infineon Technologies AG. Allein der Emittent ist fĂŒr den Inhalt verantwortlich.
MĂŒnchen, 6. Juni 2017 – Die Infineon Technologies AG erweitert das Produktangebot an diskreten 1200-V-Bauelementen mit IGBTs in Stromklassen bis 75 A. Sowohl der IGBT- als auch der Dioden-Chip sind auf den vollen Nennstrom ausgelegt. Sie sind in einem TO-247PLUS-GehĂ€use in den AusfĂŒhrungen 3- und 4-Pin verbaut. Das neue GehĂ€use ermöglicht eine höhere Leistungsdichte und Effizienz bei diskreten Bauformen. Typische Anwendungen, die Sperrspannungen von 1200 V erfordern und von diesen VorzĂŒgen profitieren, sind Antriebe, Solaranlagen und unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV). Weitere Anwendungsgebiete dieser IGBTs sind Batterielade- und Energiespeichersysteme. Im Vergleich zum regulĂ€ren TO-247-3-GehĂ€use weist das neue TO-247PLUS-GehĂ€use den doppelten Nennstrom auf. Durch den Wegfall des Schraubenlochs verfĂŒgt es ĂŒber einen grĂ¶ĂŸeren Lead-Frame-Bereich und kann entsprechend grĂ¶ĂŸere IGBT-Chips aufnehmen. Damit gibt es erstmals eine Kombination bestehend aus 1200 V IGBT und Diode mit jeweils 75 A in derselben kleinen BaugrĂ¶ĂŸe. DarĂŒber hinaus sorgt der grĂ¶ĂŸere Lead-Frame des TO-247PLUS fĂŒr einen geringeren thermischen Widerstand und eine verbesserte WĂ€rmeleitfĂ€higkeit. Entwickler, die großen Wert auf niedrige Schaltverluste legen, wĂ€hlen das TO-247PLUS-GehĂ€use mit vier AnschlĂŒssen. Dieses verfĂŒgt ĂŒber einen gesonderten Pin fĂŒr den Kelvin-Emitter. Er erlaubt eine Entkopplung des Gate- und des Kommutierungskreises und reduziert so die gesamten Schaltverluste E (ts) um mehr als 20 Prozent. Beide GehĂ€usevarianten helfen dabei, die Leistungsdichte und Effizienz des Gesamtsystems zu erhöhen. ZusĂ€tzlich verbessern sie die thermische Auslegung des Systems und reduzieren die Anzahl der parallel geschalteten Leistungshalbleiter. VerfĂŒgbarkeit Der neue 1200-V-IGBT im GehĂ€use TO-247PLUS und TO-247PLUS-4-Pin ist lieferbar. Das Produktportfolio besteht aus IGBTs in 40 A, 50 A und 75 A, jeweils mit einer Freilaufdiode in derselben StromstĂ€rke. Weitere Informationen sind erhĂ€ltlich unter www.infineon.com/to-247plus und www.infineon.com/to-247-4
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