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© Aixtron Markt | 09 Mai 2017

Osram qualifiziert Aixtron Anlage für Produktion von GaN LEDs

Der Hersteller von Depositionsanlagen fĂŒr die Halbleiterindustrie, Aixtron SE, wurde von Osram Opto Semiconductors fĂŒr die Produktion von GaN (Galliumnitrid) LEDs qualifiziert.
Dabei handelt es sich um die erste von mehreren Planetenanlagen des Typs AIX G5 C.

„Wir haben uns fĂŒr die AIX G5 C entschieden, weil sie hervorragend fĂŒr Hochleistungsanwendungen geeignet ist. Die Anlage bietet aufgrund ihres effektiven in-situ Reinigungssystems und des Transfermoduls fĂŒr den Kassettenbetrieb, das unerlĂ€sslich fĂŒr eine hohe Produktionsausbeute ist, das derzeit niedrigste Fehler- und Partikelniveau. DarĂŒber hinaus erlauben die hochentwickelten Produktionsanlagen von Aixtron eine hervorragende WellenlĂ€ngen-HomogenitĂ€t, die einen geringeren Klassifizierungsaufwand zur Folge haben und daher Zukunftstechnologien mit Ă€ußerst anspruchsvollen Anforderungen an die HomogenitĂ€t ermöglichen. Insgesamt bietet die AIX G5 C erstklassige Produktionsprozesse fĂŒr blaue und grĂŒne LEDs. Diese sind notwendig, um unsere hohen QualitĂ€tsstandards in der Serienfertigung fĂŒr verschiedene Beleuchtungsanwendungen zu erreichen“, erklĂ€rt Berthold Hahn, Senior Director LED Chip bei Osram Opto Semiconductors.

„Wir sind sehr zufrieden, dass Osram Opto Semiconductors unsere Anlage fĂŒr die Produktion qualifiziert hat und freuen uns auf die weitere Zusammenarbeit mit einem der weltweit fĂŒhrenden Halbleiterhersteller. Unsere AIX G5 C-Anlage unterstĂŒtzt die Produktstrategie von Osram perfekt, weil sie die Herstellung von Bauelementen ermöglicht, die zukĂŒnftige Technologietrends in der MobilitĂ€t, Kommunikation und Energieeffizienz unterstĂŒtzen“, so Dr. Frank Schulte, Vice President Aixtron Europe.
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2018.11.21 11:24 V11.9.8-1