StarPower erweitert SiC-Portfolio für effizientere Leistungselektronik
Der Nürnberger Leistungshalbleiteranbieter StarPower Europe erweitert sein SiC-Portfolio um ein neues Halbbrückenmodul, das den Kühlaufwand und Platzbedarf in leistungselektronischen Systemen reduzieren soll. Das geht aus einer Presseinformation vom 15. Oktober hervor. Mit der Neuentwicklung will das Unternehmen insbesondere Industrie- und Automotive-Anwendungen bedienen. Die Integration in bestehende Si-IGBT-Layouts soll den Einsatz der SiC-Technologie erleichtern.
SiC-Technologie für kompakte Umrichter und Antriebssysteme
Das neue Leistungsmodul MD53HFL120L2S_B20 arbeitet mit zwei SiC-MOSFETs in Halbbrückenschaltung und erreicht eine Sperrspannung von 1200 Volt bei einer Stromklasse von 120 Ampere. Laut StarPower sollen der niedrige Einschaltwiderstand von 5,3 Milliohm bei 25 Grad Celsius und die verwendete AlN-AMB-Technologie zu einem höheren Wirkungsgrad und geringerem Kühlbedarf beitragen. Das Modul ist für Betriebstemperaturen bis 150 Grad Celsius ausgelegt und eignet sich nach Unternehmensangaben unter anderem für DC/DC-Wandler und Wechselrichter.
Mit der Portfolioerweiterung will StarPower Anwendungen mit hohen Anforderungen an Wirkungsgrad und Leistungsdichte adressieren. Dazu gehören Antriebssysteme und On-Board-Ladegeräte für Elektrofahrzeuge sowie Wechselrichter für Solaranlagen. Auch für USV-Anlagen, Schaltnetzteile und Roboterantriebe sieht das Unternehmen Einsatzmöglichkeiten.
