Infineon liefert SiC-Leistungshalbleiter für Eatons 800-VDC-Plattform
Der deutsche Halbleiterhersteller Infineon stattet Eatons Mittelspannungs-Solid-State-Transformer MVSST 2.0 mit Siliziumkarbid-Leistungshalbleitern aus. Das geht aus einer Pressemitteilung von Infineon vom 29. September hervor. Die Plattform soll die Stromumwandlung für hochverdichtete KI-Recheninfrastruktur effizienter und zuverlässiger gestalten. Die Partner wollen damit auch den Weg zu 800-VDC-Stromarchitekturen in Rechenzentren vorbereiten.
SiC-Technik für Mittelspannungs-Solid-State-Transformer
Für Eatons MVSST-2.0-Plattform kommen SiC-Leistungshalbleiter von Infineon zum Einsatz. Der Mittelspannungs-Solid-State-Transformer verringert gegenüber herkömmlichen Architekturen die Zahl der Umwandlungsstufen. Nach Unternehmensangaben sollen dadurch Effizienz und Leistungsdichte steigen; auch die Implementierung soll flexibler werden.
Für die MVSST-2.0-Plattform liegt bereits eine IEC-Zertifizierung vor; laut Infineon gehört sie damit zu den ersten Systemen dieser Art. Die MVSST-2.0-Plattform soll zunächst in der Region Asien-Pazifik zum Einsatz kommen. Für kommende Generationen prüfen die Partner die Entwicklung von SST-Plattformen auf Basis von SiC-Leistungsmodulen mit 2,3 und 3,3 Kilovolt. Diese sollen höhere Systemspannungen unterstützen und weitere Verbesserungen bei Effizienz und Zuverlässigkeit ermöglichen. Perspektivisch sollen entsprechende SST-Plattformen auch bei der Modernisierung von Stromnetzen und im Bereich erneuerbarer Energien eingesetzt werden.
800-VDC-Architekturen für höhere Leistungsanforderungen
Der Ausbau von KI-Rechenzentren geht mit einem steigenden Strombedarf hochverdichteter Recheninfrastrukturen einher. Fortschritte bei der Mittelspannungs-Gleichstromverteilung treiben nach Angaben der Unternehmen die Nachfrage nach neuen Lösungen für die Stromumwandlung. Infineon und Eaton wollen die SST-Technik weiterentwickeln und ihren Einsatz in Rechenzentren beschleunigen.
Andreas Weisl, Executive Vice President und Chief Sales Officer Industrial & Infrastructure bei Infineon, sagte: „Da der Energiebedarf von KI-Rechenzentren und industriellen Anwendungen weiter steigt, wächst auch die Nachfrage nach effizienten, zuverlässigen und nachhaltigen Lösungen zur Stromumwandlung. Gemeinsam mit Eaton wollen wir die Solid-State-Transformer-Technologie vorantreiben und zur Entwicklung einer skalierbaren, effizienteren und nachhaltigeren Infrastruktur beitragen, um die KI-Rechenzentren der Zukunft mit Strom zu versorgen.“
David Zheng, Vice President of R&D for Power Quality APAC bei Eaton, erklärte: „Die Anforderungen an Energieeffizienz, Systemzuverlässigkeit und Skalierbarkeit in KI-Rechenzentren nehmen stetig zu. Deshalb treiben wir die Weiterentwicklung und Verbreitung der SST-Technologie gezielt voran, um einen Mehrwert für Betreiber von Rechenzentren und Stromnetzen sowie für Anwendungen im Bereich erneuerbarer Energien zu schaffen. Die fortschrittliche SiC-Technologie von Infineon unterstützt uns dabei, den Einsatz dieser Stromversorgungsarchitekturen zu beschleunigen.“
