ROHM liefert SiC-Chips für BMWs Neue Klasse
Der japanische Halbleiterhersteller ROHM stattet die elektrische Antriebsarchitektur der Neuen Klasse von BMW mit Siliziumkarbid-Chips aus. Das geht aus einer Pressemitteilung des Unternehmens vom 17. September hervor. Die SiC-Bauelemente kommen in der sechsten Generation der BMW-Elektrofahrzeuge zum Einsatz. Sie sollen die Effizienz der Leistungselektronik steigern und damit zu Reichweite und Ladeleistung beitragen.
SiC-MOSFETs für die Leistungselektronik
In der Leistungselektronik des elektrischen Antriebs kommen die SiC-MOSFETs bei wichtigen Funktionen zum Einsatz. Die Hochleistungskomponenten sind laut ROHM für die anspruchsvollen Bedingungen im Automobilbetrieb ausgelegt und sollen einen energieeffizienten sowie zuverlässigen Betrieb sicherstellen. Ihr Einsatz soll außerdem die Gesamtenergieeffizienz der Elektrofahrzeuge verbessern.
Mit der SiC-Technik für BMW setzt ROHM seine Zusammenarbeit mit Fahrzeugherstellern und Tier-1-Zulieferern im Bereich der Leistungselektronik fort. Der Halbleiterhersteller will damit die Elektrifizierung der Mobilität vorantreiben und zu ihrer Dekarbonisierung beitragen.
Wolfram Harnack, Präsident der ROHM Semiconductor GmbH, sagte: „Der Einsatz unserer SiC-MOSFETs in der 6. Generation der Elektrofahrzeuge von BMW – besser bekannt als ‚Neue Klasse‘ – betont die technologische Kompetenz von ROHM bei Leistungselektronik für den Automobilbereich. Wir freuen uns, gemeinsam mit der BMW Group durch unsere SiC-Technologie zur Weiterentwicklung der Elektromobilität der nächsten Generation beizutragen. Dies unterstreicht unser langfristiges Engagement, unsere Kunden aus der Automobilbranche mit hochwertigen und äußerst zuverlässigen Produkten zu unterstützen.“
