Infineon erweitert Zusammenarbeit mit SolarEdge Technologies
Die Zusammenarbeit baut direkt auf der im November 2025 angekündigten Solid-State-Transformer-Plattform (SST) von SolarEdge mit SiC-Komponenten von Infineon auf. Der SST soll Mittelspannung von 13,8 bis 34,5 kV mit einem Wirkungsgrad von mehr als 99 Prozent direkt in 800 bis 1.500 V Gleichspannung umwandeln.
Der deutsche Halbleiterhersteller Infineon Technologies und das israelische Smart-Energy-Unternehmen SolarEdge Technologies haben eine Erweiterung ihrer Zusammenarbeit angekündigt. Gemeinsam wollen die Unternehmen die Technologie für Solid-State Circuit Breaker (SSCB) zur Hochspannungs-Gleichstromverteilung in KI- und Hyperscale-Rechenzentren vorantreiben.
SolarEdge übernimmt die Entwicklung der SSCB-Lösung, während Infineon seine Siliziumkarbid-JFET-Technologie (SiC) für die zentralen Schutzkomponenten bereitstellt.
Solid-State-Leistungsschalter sollen Fehler innerhalb weniger Mikrosekunden unterbrechen können, ohne dass dafür mechanische Kontakte getrennt werden müssen. Laut einer Pressemitteilung ermöglichen die CoolSiC-JFETs von Infineon dabei einen effizienten Betrieb und eine hohe Robustheit.
Die erweiterte Zusammenarbeit baut unmittelbar auf der SST-Plattform von SolarEdge mit SiC-Komponenten von Infineon auf, die erstmals im November 2025 angekündigt wurde. Der Solid-State Transformer ist darauf ausgelegt, Mittelspannung von 13,8 bis 34,5 kV direkt in 800 bis 1.500 VDC umzuwandeln.
Dabei soll ein Wirkungsgrad von mehr als 99 Prozent erreicht werden. Durch die Zusammenführung mehrerer Umwandlungsstufen in einer einzigen Lösung soll zudem der Platzbedarf reduziert werden.
„KI-Infrastrukturen mit hoher Leistungsdichte und 800 VDC erfordern kompromisslose Effizienz und Schutz“, sagt Shuki Nir, CEO von SolarEdge. „Solid-State-Schutz wird es Betreibern ermöglichen, beides zu erreichen: eine ultraschnelle und zuverlässige Fehlerisolierung, ohne die Umwandlungsleistung zu beeinträchtigen. Die Siliziumkarbid-Technologie von Infineon macht dies im großen Maßstab praktikabel.“
„Die heutigen Dateninfrastrukturen sind anfälliger für elektrische Fehler geworden, wodurch die Nachfrage nach intelligenteren, schnelleren und robusteren Stromverteilungssystemen steigt“, sagt Andreas Weisl, Executive Vice President und Chief Sales Officer Industrial & Infrastructure bei Infineon. „Durch die Kombination unserer fortschrittlichen Siliziumkarbid-JFET-Technologie mit der Expertise von SolarEdge in der finalen Stromverteilung adressieren wir diese Anforderungen, um einen schnellen, sicheren und zuverlässigen Betrieb von KI-Rechenzentren zu gewährleisten.“
