Infineon und SolarEdge erweitern 800-VDC-Architektur um Halbleiterschutz
Der deutsche Chiphersteller Infineon und der Energietechnikanbieter SolarEdge entwickeln halbleiterbasierte Schutzschalter für 800-Volt-Gleichstromnetze in KI- und Hyperscale-Rechenzentren weiter. Das geht aus einer Pressemitteilung von Infineon vom 9. September hervor. Die Solid-State-Circuit-Breaker (SSCB) sollen die Verteilungsebene zwischen Stromumwandlung und Compute-Rack absichern. Steigende Rechendichten verschärfen die Anforderungen an den Schutz solcher Gleichstromarchitekturen.
Schutzschalter zwischen Transformator und Compute-Rack
Infineon und SolarEdge erweitern ihre Zusammenarbeit um eine Halbleiter-Schutzebene zwischen Transformator und Compute-Rack. SolarEdge entwirft die SSCB-Lösung, Infineon stellt dafür CoolSiC-JFETs aus Siliziumkarbid bereit. Nach Angaben von Infineon sind die Halbleiterschalter darauf ausgelegt, Fehler binnen weniger Mikrosekunden zu unterbrechen, ohne einen Lichtbogen zu erzeugen.
Die Zusammenarbeit baut auf der bereits im November 2025 angekündigten SST-Plattform von SolarEdge mit SiC-Komponenten von Infineon auf. SolarEdge zufolge soll der SST Mittelspannung von 13,8 bis 34,5 Kilovolt direkt in 800 bis 1.500 Volt Gleichspannung umwandeln und dabei einen Wirkungsgrad von über 99 Prozent erreichen.
Mikrosekunden-Schutz für höhere Leistungsdichten
Gleichstromnetze besitzen keinen natürlichen Nulldurchgang. Beim Öffnen eines mechanischen Kontakts kann deshalb ein Lichtbogen bestehen bleiben. SSCBs sollen Fehler laut Mitteilung um ein Vielfaches schneller trennen als elektromechanische Schutzschalter. Für 800-VDC-Systeme ist deshalb eine äußerst schnelle Fehlerisolierung erforderlich. Sie soll laut Mitteilung Selektivität bei hoher Effizienz ermöglichen.
Shuki Nir, CEO von SolarEdge, sagte: „Hochdichte KI-Infrastrukturen bei 800 VDC erfordern kompromisslose Effizienz und Schutz. Halbleiterbasierte Schutztechnologien ermöglichen Betreibern beides. Sie bieten eine ultraschnelle und zuverlässige Fehlerisolation, ohne Kompromisse bei der Energieumwandlung eingehen zu müssen. Die Siliziumkarbid-Technologie von Infineon macht dies im großen Maßstab praktikabel.“
Mit der Grid-to-Rack-Architektur wollen Infineon und SolarEdge die Gleichstromversorgung vom Mittelspannungsanschluss bis zum Compute-Rack durchgängig gestalten. Die Grid-to-Rack-Lösung soll laut Mitteilung höhere Leistungsdichten und eine größere Zuverlässigkeit ermöglichen sowie die Umweltbelastung senken. Infineon zufolge sollen die Halbleiterlösungen zudem Verluste und Gesamtbetriebskosten senken.
Andreas Weisl, Executive Vice President und Chief Sales Officer Industrial & Infrastructure bei Infineon, erklärte: „Die heutigen Dateninfrastrukturen sind anfälliger für elektrische Störungen geworden, was die Nachfrage nach intelligenteren, schnelleren und robusteren Stromverteilungssystemen antreibt. Durch die Kombination unserer fortschrittlichen Siliziumkarbid-JFET-Technologie mit der Expertise von SolarEdge in der Energieverteilung adressieren wir diese Anforderungen und ermöglichen einen schnellen, sicheren und zuverlässigen Betrieb in KI-Rechenzentren.“
