Intel Foundry und ASML treiben High-NA-EUV für die Chipfertigung voran
Intel Foundry und ASML bauen ihre Zusammenarbeit bei der High-NA-EUV-Lithografie weiter aus. Mehr als eine Million Wafer wurden bereits mit der Technologie bearbeitet, während die Unternehmen gleichzeitig an größeren Maskenformaten und einer breiteren Nutzung in der Halbleiterfertigung arbeiten.
Intel Foundry und ASML haben neue Fortschritte bei der Einführung der High Numerical Aperture Extreme Ultraviolet Lithography (High-NA EUV) vorgestellt. Wie Intel Foundry in einer Pressemitteilung anlässlich der SPIE Photomask Technology + Extreme Ultraviolet Lithography Conference mitteilte, soll die Zusammenarbeit dazu beitragen, die Technologie für eine breitere industrielle Nutzung vorzubereiten.
High-NA EUV wird bei Intel Foundry bereits in der Serienfertigung eingesetzt. Insgesamt wurden nach Angaben des Unternehmens inzwischen mehr als eine Million Wafer im Rahmen von Anlagenqualifizierung und Tests, Forschung und Entwicklung sowie der Volumenproduktion bearbeitet. Ausgewählte Schichten eines Teils der Intel Core Ultra Series 3 Prozessoren mit dem Codenamen Panther Lake werden mit der Technologie gefertigt.
Dabei kommen High-NA-EUV-Systeme beim Intel-18A-Prozess für ausgewählte Schichten zum Einsatz. Laut Intel erreichen diese Schichten eine Leistung, die mit vergleichbaren Strukturen auf der bisherigen NXE-Plattform mit einer numerischen Apertur von 0,33 mithalten oder diese übertreffen kann. Auch Overlay, Durchsatz und Verfügbarkeit entsprechen nach Unternehmensangaben den Erwartungen.
Ein weiterer Schwerpunkt der Zusammenarbeit liegt auf den für High-NA EUV benötigten Masken. Kunden können die Technologie derzeit mit dem etablierten 6-Zoll-Maskenformat nutzen. Dafür bietet Intel Foundry unter anderem Reticle Stitching sowie entsprechende Lösungen innerhalb seines Process Design Kits (PDK) an. Beim Stitching werden getrennt belichtete Bereiche zu einem größeren Chipdesign zusammengefügt.
Parallel dazu arbeiten Intel Foundry und ASML seit mehr als drei Jahren an der Weiterentwicklung hin zu einem größeren 6x12-Zoll-Maskenformat. Gemeinsam mit Maskenherstellern, Automatisierungs- und EDA-Anbietern, Materiallieferanten und Halbleiterunternehmen sollen dafür die notwendigen Standards, Technologien und Infrastrukturen geschaffen werden.
„Die Unternehmen, die die immer komplexeren KI-Produkte der Zukunft entwickeln, benötigen Fertigungsinnovationen, die produktionsbereit und einfach einzusetzen sind“, sagt Naga Chandrasekaran, Executive Vice President und Co-General Manager von Intel Foundry. „Bei unseren Lithografiekapazitäten konzentriert sich Intel Foundry kurzfristig darauf, High NA mit 6-Zoll-Masken mit oder ohne Stitching zu ermöglichen und den Übergang zu 6x12-Zoll-Masken vorzubereiten.“
Intel und ASML arbeiten bereits seit Jahrzehnten bei der Weiterentwicklung von Lithografietechnologien zusammen. 2024 installierte Intel das erste kommerzielle High-NA-EUV-System EXE:5000 an seinem Forschungs- und Entwicklungsstandort in Oregon. Inzwischen setzt Intel Foundry die Technologie erstmals für ein in hohen Stückzahlen gefertigtes Logikprodukt ein.
ASML zufolge ermöglicht die höhere numerische Apertur eine präzisere Strukturierung und soll damit die Fertigung kleinerer und dichterer Chipstrukturen unterstützen. Die Unternehmen sehen High-NA EUV insbesondere als wichtige Technologie für kommende Generationen leistungsfähiger Halbleiter und KI-Anwendungen.
