Samsung und Broadcom vertiefen Kooperation rund um Speicher- und Foundry-Technologien

Nach Angaben von Samsung soll die Zusammenarbeit bei Speicher- und Foundry-Technologien in den kommenden fünf Jahren bis 2030 ein Volumen von über 200 Milliarden US-Dollar erreichen.

Im Rahmen der geplanten Partnerschaft wollen die Unternehmen führende Speicherlösungen wie High Bandwidth Memory (HBM) für Broadcoms nächste Generation von KI-Beschleunigern liefern.

Für die Auftragsfertigung von Broadcom-Produkten, darunter Lösungen für die drahtlose Breitbandkommunikation (Wireless Broadband Communications, WBC), soll Samsungs Zwei-Nanometer-Technologie einschließlich noch kleinerer Strukturgrößen zum Einsatz kommen. Laut Mitteilung soll die Zusammenarbeit außerdem auf fortschrittliche Packaging-Technologien ausgeweitet werden, die auf Samsungs Zwei-Nanometer-Prozess aufbauen. Die vorgesehene 2,3D- und 2,5D-Integration soll leistungsfähigere und energieeffizientere Chips für KI- und Netzwerkanwendungen ermöglichen.

Young Hyun Jun, Vice Chairman und CEO der Device Solutions Division bei Samsung Electronics, sagte: „KI sorgt für eine beispiellose Nachfrage nach eng aufeinander abgestimmten Halbleitertechnologien bei Speicher, Logik und Advanced Packaging. Mit der Ausweitung unserer Zusammenarbeit mit Broadcom auf diese entscheidenden Technologien wollen wir unseren Kunden einen größeren Mehrwert bieten und die KI-Infrastruktur der Zukunft voranbringen.“

Charlie Kawwas, President der Semiconductor Solutions Group bei Broadcom, erklärte: „Mit der zunehmenden Skalierung von KI-Infrastrukturen gewinnt eine enge Zusammenarbeit innerhalb des Halbleiterökosystems immer stärker an Bedeutung. Indem wir Samsungs Kompetenz bei Speicher- und Foundry-Technologien mit Broadcoms führender Position bei KI- und Konnektivitätslösungen zusammenführen, wollen wir weiterhin Technologien bereitstellen, die die nächste Generation von KI-Infrastrukturen antreiben.“