Deutsche Halbleitertechnik fürs MIT: AIXTRON liefert Anlagen für GaN- und 2D-Forschung
Der deutsche Anlagenbauer AIXTRON stattet das MIT-Forschungszentrum MIT Lincoln Laboratory in den USA mit zwei Hyperion-300-mm-Systemen für die Forschung an GaN-Leistungselektronik und 2D-Materialien aus. Das geht aus einer Pressemitteilung des Unternehmens vom 23. Juni hervor. Das Labor will damit neue GaN-Bauelemente für Leistungs- und Hochfrequenzanwendungen sowie 2D-Materialien für künftige Transistoren erproben. Die Arbeiten zielen auf Materialien und Bauelementkonzepte, die später in siliziumbasierte Fertigungsumgebungen übertragen werden könnten.
GaN- und 2D-Materialforschung auf 300-mm-Plattformen
Mit den beiden Hyperion-Systemen stärkt das Labor seine Forschung an Bauelementkonzepten für größere Waferformate. Die erste Plattform adressiert GaN-Bauelemente für Leistungselektronik und HF-Technik. Forschende erproben darauf neue Barrierestrukturen sowie Materialkonzepte für leistungsfähigere Bauelementgenerationen. Die zweite Anlage adressiert 2D-Materialien für Transistoren künftiger Generationen. Auch Remote-Epitaxie gehört zu den geplanten Anwendungen.
AIXTRON richtet die Systeme primär für 200-mm-Wafer ein. Die Plattformen bleiben für Prozesse auf Substraten bis 300 mm ausgelegt und geben dem Labor damit Spielraum bei der Wahl der Wafergröße. Der Zugang ist für Nutzer aus dem NEMC-Verbund und für externe Forschungspartner vorgesehen.
Dr. Felix Grawert, CEO von AIXTRON, sagte: „Wir freuen uns sehr, unsere Partnerschaft mit dem MIT weiter auszubauen. Dieser Meilenstein stellt einen weiteren wichtigen Schritt für die Technologie von AIXTRON sowie für die umfassendere Integration von GaN- und 2D-Materialien in siliziumbasierte Fertigungsumgebungen dar.“
Die Finanzierung kommt aus dem SCALE Capital Program des US-Mikroelektronikverbunds NEMC Hub. Das Programm stellt Kapital für strategische Forschungsanlagen bereit und soll den Transfer neuer Mikroelektronik-Technologien in Prototypen beschleunigen.
