Infineon setzt sich in zwei GaN-Patentverfahren gegen Innoscience durch
Der Münchner Halbleiterkonzern Infineon Technologies hat vor dem Landgericht München I zwei weitere Patentverfahren gegen das chinesische Halbleiterunternehmen Innoscience gewonnen. Das teilte Infineon am 18. Juni mit. Die Entscheidungen untersagen Innoscience, Produkte mit patentierter Infineon-GaN-Technologie in Deutschland herzustellen, zu verkaufen und zu vermarkten. Laut Infineon verpflichtete das Gericht Innoscience außerdem zur Zahlung von Schadenersatz.
Schadenersatz und Vertriebsstopp in Deutschland
Mit den Entscheidungen zieht das Gericht klare Grenzen für den Einsatz geschützter GaN-Technologie in Deutschland. Das Landgericht München I stützte seine Entscheidungen auf ein Infineon-Patent und ein Gebrauchsmuster zur Galliumnitrid-Technologie. Laut Infineon verwendete Innoscience geschützte Technik ohne Zustimmung. GaN spielt bei Stromversorgungssystemen mit hoher Leistung und hoher Energieeffizienz eine wichtige Rolle. Die Technik adressiert Anwendungen in Rechenzentren und Elektrofahrzeugen sowie in Industrieautomatisierung und erneuerbaren Energien.
Infineon führt den Streit mit Innoscience bereits in mehreren Verfahren. Laut Unternehmen handelt es sich bei den Münchner Entscheidungen um die dritte und vierte juristische Niederlage für Innoscience in dieser Auseinandersetzung. Im August 2025 hatte ein deutsches Gericht bereits zugunsten von Infineon entschieden. Im Mai stellte außerdem die Full Commission der US International Trade Commission eine Verletzung eines Infineon-Patents aus der GaN-Technologie fest. Weitere Verfahren zu Infineon-Patenten laufen in Deutschland und den USA.
Johannes Schoiswohl, Senior Vice President und Leiter der GaN Systems Business Line von Infineon, sagte: „Das heutige Urteil zeigt den Wert unseres GaN-Portfolios und verdeutlicht, dass wir unser geistiges Eigentum energisch verteidigen und uns für einen fairen Wettbewerb einsetzen.“
