Siemens integriert Infineon-SiC in Halbleiter-Leistungsschalter
Der deutsche Halbleiterhersteller Infineon Technologies AG stellt Siliziumkarbid-Leistungsmodule für den Halbleiter-Leistungsschalter SENTRON 3QD2 von Siemens bereit. Das geht aus einer Presseinformation von Infineon vom 8. Juni hervor. Der halbleiterbasierte Schutzschalter ist für Stromverteilungen in Rechenzentren sowie in Fabriken und Batteriespeichersystemen ausgelegt. Im Fehlerfall soll er deutlich schneller reagieren als elektromechanische Schutzschalter.
Schneller abschalten in Rechenzentren und Fabriken
Rechenzentren, Fabriken und Batteriespeicher benötigen Stromverteilungen, die Fehlerströme sehr schnell abfangen. Kurzschlüsse oder Überlast können dort Ausfälle, Datenverluste und Schäden an Hardware verursachen. Der SENTRON 3QD2 von Siemens soll solche Überströme im Mikrosekundenbereich unterbrechen. Laut Infineon reagiert das System damit bis zu 1.000-mal schneller als herkömmliche elektromechanische Schutzschalter.
Der Leistungsschalter arbeitet mit Halbleiterkomponenten und intelligenten Schutzalgorithmen. Siemens bindet dafür ein 62-mm-CoolSiC-MOSFET-Modul mit 1.200 V von Infineon in sein Schutzkonzept ein. Die Siliziumkarbid-Technik soll Effizienz und Leistungsdichte des Schalters erhöhen. Auch die Zuverlässigkeit der Schutzlösung soll davon profitieren.
Andreas Weisl, Executive Vice President und Chief Sales Officer Industrial & Infrastructure bei Infineon, erklärte: „KI-Rechenzentren und Fabriken werden zunehmend elektrifiziert und immer komplexer. Das erhöht die Anfälligkeit für elektrische Störungen und treibt die Nachfrage nach nachhaltigeren, effizienteren und zuverlässigeren Stromverteilungssystemen voran.“
Gleichstromnetze erfordern schnelle Schutztechnik
Für Gleichstromnetze ist die schnelle Abschaltung besonders relevant. DC-Infrastrukturen gewinnen in Rechenzentren, Industrieanlagen und Speichersystemen an Bedeutung. Siemens sieht in Gleichstromanwendungen Potenzial, den Energieverbrauch und den Materialeinsatz zu senken. Eingebundene Batteriespeicher sollen zudem helfen, Spitzen beim Strombedarf zu verringern.
Markus Grabmeier, CEO Electrical Products bei Siemens Smart Infrastructure, sagte: „Gleichstromanwendungen können den Energieverbrauch senken und den Materialeinsatz deutlich reduzieren. Durch die Integration von Batteriespeichern lässt sich zudem der Spitzenstrombedarf erheblich verringern.“
Eine Demo des Halbleiter-Leistungsschalters zeigt Infineon vom 9. bis 11. Juni auf der PCIM Europe 2026 in Nürnberg.
