ROHM baut GaN-Power-Produktion weiter aus
Der japanische Halbleiterhersteller ROHM Co., Ltd. stärkt seine Lieferfähigkeit für GaN-Power-Halbleiter (Gallium Nitride) und baut seine Produktionskapazitäten weiter aus. Wie das Unternehmen mitteilt, wird die GaN-Prozesstechnologie von TSMC künftig direkt in das eigene Werk in Hamamatsu integriert.
GaN-Power-Halbleiter gewinnen zunehmend an Bedeutung, da sie gegenüber klassischen Siliziumlösungen höhere Effizienz, geringere Verluste und kompaktere Bauformen ermöglichen. Sie kommen unter anderem in AI-Servern, industriellen Stromversorgungen, Schnellladegeräten und Elektrofahrzeugen zum Einsatz.
ROHM hatte bereits 2022 mit der Massenproduktion von 150-Volt-GaN-Produkten begonnen. Für mittlere Spannungsbereiche arbeitete das Unternehmen eng mit TSMC zusammen, insbesondere bei 650-Volt-GaN-Prozessen. Mit dem neuen Lizenzabkommen wird die entsprechende Fertigungstechnologie nun in die eigene Produktionsstruktur überführt.
Ziel ist es, bis 2027 ein vollständig integriertes In-House-Produktionssystem für GaN-Halbleiter innerhalb der ROHM-Gruppe aufzubauen. Dadurch will das Unternehmen seine Unabhängigkeit erhöhen und gleichzeitig die steigende Nachfrage in Wachstumsmärkten absichern.
Nach Abschluss der Technologieübertragung wird die bisherige Automotive-GaN-Partnerschaft mit TSMC in ihrer bisherigen Form beendet. Beide Unternehmen beabsichtigen jedoch, ihre Zusammenarbeit in anderen Bereichen fortzusetzen.
Mit dem Ausbau der eigenen GaN-Fertigung positioniert sich ROHM weiter im Markt für leistungsfähige und energieeffiziente Power-Halbleiterlösungen.
