Infineon kooperiert mit NIELIT zur Stärkung des indischen Halbleiter-Ökosystems
Der deutsche Halbleiterhersteller Infineon Technologies und das National Institute of Electronics & Information Technology (NIELIT) in Indien haben ein Memorandum of Understanding (MoU) unterzeichnet, um einen umfassenden Rahmen für Qualifizierung und Fachkräfteentwicklung im indischen Halbleitersektor zu schaffen.
Im Rahmen der Partnerschaft arbeitet Infineon mit NIELIT – einer autonomen Einrichtung unter dem indischen Ministerium für Elektronik und Informationstechnologie (MeitY) – zusammen, um Ausbildungsprogramme in den Bereichen Halbleiter-Montage, Test und Packaging zu entwickeln. Geplant sind unter anderem die Anreicherung von Lehrplänen, Expertenseminare, „Train-the-Trainer“-Programme sowie die Bereitstellung von Ausrüstung für praxisnahe Schulungen, wie aus einer Mitteilung hervorgeht.
„Indien ist eine der dynamischsten Volkswirtschaften der Welt, und das Ziel, ein starkes Halbleiter-Ökosystem aufzubauen, passt perfekt zu Infineons Expertise in den Bereichen Leistungselektronik und IoT“, sagte Jochen Hanebeck, CEO von Infineon. „Unsere Partnerschaft mit NIELIT unterstreicht unser tiefes Engagement für Indien – nicht nur als Markt, sondern als strategisches Innovations- und F&E-Zentrum. Durch Investitionen in Talententwicklung und Wissenstransfer helfen wir dabei, die qualifizierten Fachkräfte aufzubauen, die Indiens Halbleiterzukunft vorantreiben und die Vision von Viksit Bharat [Entwickeltes Indien] 2047 unterstützen.“
Auch Prof. M. M. Tripathi, Generaldirektor von NIELIT, betonte die Bedeutung der Zusammenarbeit: „Diese Partnerschaft mit Infineon ist ein wichtiger Meilenstein für die Entwicklung des indischen Halbleiter-Ökosystems. Durch die Kombination von NIELITs landesweiter Ausbildungsinfrastruktur mit Infineons globaler Expertise in der Halbleiterfertigung schaffen wir erstklassige Qualifizierungsprogramme, die junge Menschen auf Karrieren in diesem Schlüsselbereich vorbereiten. Die Kooperation unterstützt direkt Indiens Ziel, im Halbleiterbereich unabhängiger zu werden.“

