Siliziumanbieter ROHM unterstützt 800V-Architektur von Nvidia
Der Halbleiter-Hersteller ROHM produziert Transistoren aus Siliziumkarbid, SiC-MOSFETs, die vom KI-Computing-Unternehmen Nvidia in Zukunft in seiner 800V HVDC-Rechenzentrumsarchitektur genutzt werden. Laut dem Unternehmen eignen sich SiC-MOSFETs besonders gut für die von Nvidia geplanten zentralisierten Energiesysteme.
Nvidia arbeitet an der Implementierung seiner 800 V HVDC-Architerktur (High-Voltage-Direct-Current-Architektur) für Rechenzentren. Diese Infrastruktur will das Unternehmen im grossen Maßstab einsetzen, um 1-MW-Computerracks und mehr zu versorgen. Damit wird 13.8 kV Wechselstrom aus dem Stromnetz direkt in 800V Gleichstrom umgewandelt – eine Entwicklung gegenüber den herkömmlichen 54-V-Rack-Stromversorgungssystemen und deren Einschränkungen, namentlich Platzmangel, Kupferüberlastung und Umwandlungsverluste.
Die 800-V-HGÜ-Architektur zielt darauf ab, den Kupferverbrauch zu reduzieren, Energieverluste zu minimieren und die Energieumwandlung im gesamten Rechenzentrum zu vereinfachen. Für diese Ziele seien die Transistoren SiC-MOSFETs von ROHM optimal geeignet, schreibt das ROHM in einer Medienmitteilung. Die SiC-MOSFETs funktionieren laut ROHM in Hochspannungs- und Hochleistungsumgebungen und bieten einen höheren Wirkungsgrad durch geringere Schalt- und Leitungsverluste, eine höhere thermische Stabilität für kompakte Systeme mit hoher Dichte.
Übergang “ein Gemeinschaftsprojekt”
Die Architektur von Nvidia sei ein bedeutender Wandel im Design von Rechenzentren, weil sie KI-Fabriken im Megawattbereich ermögliche, die effizienter, skalierbarer und nachhaltiger seien, schreibt ROHM in der Mitteilung.
“Der Übergang zu einer 800-V-HGÜ-Infrastruktur ist ein Gemeinschaftsprojekt. ROHM ist bestrebt, eng mit Branchenführern wie NVIDIA sowie mit Betreibern von Rechenzentren und Entwicklern von Stromversorgungssystemen zusammenzuarbeiten, um die grundlegenden Siliziumtechnologien bereitzustellen, die für die nächste Generation von KI-Fabriken benötigt werden”, so schreibt das ROHM in seiner Mitteilung.
Neben SiC entwickelt ROHM Gallium-Nitrid-Technologien unter seiner Marke EcoGaN weiter. GaN bietet eine bessere Leistung als SiC im Bereich von 100 V bis 650 V in Sachen Durchbruchfeldstärke, niedriger Durchlasswiderstand und schnelle Schaltvorgänge, während SiC am besten für Hochspannungs- und Hochstromanwendungen geeignet ist.
