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Markt |

IQE und X-FAB unterzeichnen Entwicklungsvereinbarung

IQE plc, Anbieter von Verbindungshalbleiter-Waferprodukten und fortschrittlichen Materiallösungen, und X-FAB Silicon Foundries SE, eine nach eigenen Angaben führende Analog-/Mixed-Signal- und Spezial-Foundry, haben eine gemeinsame Entwicklungsvereinbarung (Joint Development Agreement, JDA) bekannt gegeben, um eine in Europa ansässige GaN-Power-Bauteilplattform zu entwickeln.

Mit einem anfänglichen zweijährigen Arbeitsumfang werden IQE und X-FAB zusammenarbeiten, um ein 650V GaN-Bauelement zu entwickeln. Die Vereinbarung werde IQEs GaN-Epitaxie-Design und Prozess-Know-how zusammen mit X-FABs bewährter Technologieentwicklung und Bauelementeherstellung nutzen, um eine optimierte Technologie-Substrat-Kombination für Automobil-, Rechenzentrums- und Verbraucheranwendungen anzubieten, heißt es in einer Pressemitteilung.

Diese Zusammenarbeit wird Fabless-Halbleiterunternehmen eine hochmoderne, standardisierte GaN-Plattform zur Verfügung stellen, die ihre Innovationszyklen und Markteinführungszeiten beschleunigt. Die Technologie soll auch als Grundlage für künftige Produktentwicklungen dienen, die über 650 V hinausgehen, um die wachsende Marktnachfrage nach Leistungselektronik zu befriedigen.

„Wir freuen uns, gemeinsam mit X-FAB eine erstklassige GaN Power Foundry-Lösung in Europa zu entwickeln, die unseren fabless-Kunden die Möglichkeit des Outsourcings bietet. Aufbauend auf unserer GaN-Epitaxie-Expertise und den jüngsten Investitionen in zusätzliche GaN-Reaktorkapazitäten, entspricht diese Vereinbarung unserer GaN-Diversifizierungsstrategie, erweitert unsere Kundenreichweite und beschleunigt die Markteinführung von GaN-Power-Anwendungen", sagt Jutta Meier, Interim Chief Executive Officer und Chief Financial Officer von IQE.

„Durch die Kombination unserer langjährigen Erfahrung in der Herstellung von GaN-Bauelementen und Design Enablement mit der führenden Epitaxie von IQE schaffen wir eine einzigartige, schlüsselfertige GaN Power-Plattform“, ergänzt Jörg Doblaski, Chief Technology Officer bei X-FAB.


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