Imec stellt richtungsweisende Testergebnisse vor
Diese Woche präsentiert imec, ein weltweit führendes Forschungs- und Innovationszentrum für Nanoelektronik und digitale Technologien, auf der SPIE Advanced Lithography + Patterning die ersten Ergebnisse des elektrischen Tests (e-test), die mit Metallleitungsstrukturen mit einem Pitch von 20 nm erzielt wurden, strukturiert nach Einzelbelichtung mit High-NA-EUV-Lithografie.
Messungen an metallisierten schlangenförmigen und gabelförmigen Strukturen zeigen eine gute elektrische Ausbeute, was auf eine geringe Anzahl stochastischer Defekte hindeute, heißt es in einer Pressemitteilung. Die E-Test-Ergebnisse bestätigen die Leistungsfähigkeit des High-NA-EUV-Lithografiescanners und seines umgebenden Ökosystems, Leiterbahnen/Abstände in einer so geringen Dimension zu strukturieren.
Im August 2024 hatte imec als erstes Unternehmen branchenrelevante Logik- und DRAM-Strukturen präsentiert, die mittels eines einzigen Belichtungsschritts mit einer High-NA-EUV-Lithografie strukturiert wurden. Als nächsten entscheidenden Schritt zeigt imec, dass metallisierte Leitungsstrukturen mit einem Abstand von 20 nm, die nach
einer einzelnen EUV-Strukturierung mit hoher numerischer Apertur unter Verwendung eines Metalloxid-Negativtonresists (MOR) erhalten wurden, eine Ausbeute von mehr als 90 Prozent aufweisen.
„Dies ist die erste Demonstration der elektrischen Ausbeute von Metallleitungen mit einem Pitch von 20 nm, die mit einer Einzel-High-NA-EUV-Strukturierung erzielt wurde. Diese Ergebnisse stellen eine erste Validierung der Fähigkeiten der High-NA-EUV-Lithografie und ihres umgebenden Ökosystems dar, einschließlich fortschrittlicher Resists und Underlayers, Photomasken, Messtechniken, (anamorpher) Bildgebungsstrategien, optischer Proximity-Korrektur (OPC) sowie integrierter Strukturierungs- und Ätztechniken. Wir werden weiterhin mit unserem Strukturierungs-Ökosystem an Prozessen arbeiten, um die Ausbeute weiter zu verbessern und diese Technologien an unsere Fertigungspartner zu übertragen“, sagt Steven Scheer, Senior Vice President R&D bei imec.
Das imec-ASML High NA EUV-Ökosystem umfasst Partner wie führende Chiphersteller, Material- und Resistlieferanten, Maskenlieferanten und Messtechnik-Experten, die alle zusammenarbeiten, um die High-NA
EUV-Lithografie für die Halbleiterfertigung der nächsten Generation im Sub-2-nm-Bereich zu entwickeln und zu optimieren.
„Diese E-Test-Ergebnisse zeigen uns auch den Weg in die Zukunft. In Kombination mit der E-Beam-Inspektion geben Leitfähigkeitsmessungen von metallisierten Serpentinen- und Gabeln-Gabel-Strukturen Aufschluss über die stochastischen Defekte, die zu einer geringeren Ausbeute führen“, ergänzt Philippe Leray, Leiter der Abteilung für fortgeschrittene Strukturierung bei imec.