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© balint radu dreamstime.com Komponenten | 20 Januar 2017

n-Kanal-MOSFETs für Schalter Anwendungen mit geringstem Durchlasswiderstand

Toshiba Electronics Europe stellt zwei n-Kanal-MOSFETs fĂŒr Schalteranwendungen in mobilen, batteriebetriebenen GerĂ€ten vor, die den niedrigsten Durchlasswiderstand ihrer Klasse bieten[1].
Das ist eine ProduktankĂŒndigung von Toshiba Electronics Europe. Allein der Emittent ist fĂŒr den Inhalt verantwortlich.
Durch die niedrigen Widerstandsverluste tragen der SSM6K513NU und SSM6K514NU zur Steigerung des Systemwirkungsgrad bei und eignen sich so insbesondere zum Einsatz in Anwendungen wo eine lange Batterielebensdauer gewĂŒnscht ist. Auf Basis von Toshibas „U-MOS IX-H“ Trench-Prozess konnte der Durchlasswiderstand der MOSFETs reduziert werden. So betrĂ€gt der RDS(ON) beim 30V SSM6K513NU nur 6,5mΩ und beim 40V SSM6K514NU nur 8,9mΩ. Im Vergleich zu Toshibas bestehenden MOSFETs, wie dem SSM6K504NU, verringern sie die WĂ€rmeentwicklung durch Einschaltverluste um etwa 40%. Der SSM6K513NU und SSM6K514NU eignen sich als Schalter fĂŒr elektrische Leistungen oberhalb von 10W, wie z.B. in kleinen MobilgerĂ€ten die den USB Type-Cℱ und USB Power Delivery (PD) Standard unterstĂŒtzen. Beide MOSFETs werden im kompakten SOT-1220-GehĂ€use ausgeliefert. ----- [1] FĂŒr Bausteine mit gleichen Nennwerten. Stand: 26. September 2016. Untersuchung durch Toshiba.
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2019.02.21 14:28 V12.2.5-2