700 V CoolMOS P7 von Infineon für quasiresonante Flyback-Topologien

Die MOSFETs liefern eine deutliche Leistungsverbesserung im Vergleich zu den derzeit verwendeten Superjunction-Technologien. Von dieser Verbesserung profitieren resonant schaltende Topologien, die in Ladegeräten für Smartphones und Tablets zum Einsatz kommen, aber auch in Notebook-Adaptern. Darüber hinaus unterstützt der neue CoolMOS höhere Schaltfrequenzen und eine hohe Leistungsdichte, etwa für TV-Adapter und Anwendungen im Bereich Beleuchtung, Audio und Aux. Dank verbessertem Formfaktor ermöglicht die Familie sehr schlanke Designs. Die neue Technologie sorgt im Vergleich zu Wettbewerbsprodukten für reduzierte Schaltverluste (E OSS) von 27 bis 50 Prozent. In flyback-basierten Ladegeräten kann die Effizienz um bis zu 3,9 Prozent gesteigert werden, während die Temperatur des Bauteils um bis zu 16 K geringer ist. Gegenüber der bisherigen 650-V-C6-Technologie verbessert sie den Wirkungsgrad um 2,4 Prozent und senkt die Temperatur um 12 K. Eine integrierte Zenerdiode ermöglicht eine höhere ESD-Robustheit bis zur HBM-Klasse 2. Damit können Kunden eine bessere Montageausbeute erzielen, da produktionsbedingte Ausfälle reduziert werden und die Gesamtkosten der Herstellung sinken. Auch bei den Kennzahlen R DS(on)*Q g und R DS(on)*E OSS, die Einfluss auf die Verlustleistung haben, zeigt der 700 V CoolMOS P7 deutlich verbesserte Eigenschaften. Verglichen mit der C6-Technologie und der einiger Wettbewerber, liefert die neue Familie eine zusätzliche Sperrspannung von 50 V. Zur einfacheren Nutzung weist die neue Technologie einen V GSth von 3 V auf und eine sehr enge Toleranz von ± 0,5 V. Die neue P7-Familie kann so mit geringerer Gate-Source-Spannung gesteuert werden, was zu weniger Verlusten im Standby-Betrieb führt. Gerade in preissensiblen Segmenten bietet der neue 700 V CoolMOS P7 ein attraktives Preis-Leistungs-Verhältnis, das weitere Wettbewerbsvorteile bietet. Verfügbarkeit Der 700 V CoolMOS P7 MOSFET ist in den gebräuchlichen Kombinationen von Einschaltwiderstand (R DS(on)) und Gehäusen lieferbar, einschließlich 360 mΩ bis 1400 mΩ in den Gehäusen IPAK SL, DPAK und TO-220FP. Das Angebot an R DS(on)-Klassen für die Produktfamilie wird weiterentwickelt, und die Superjunction-Technologie mit neuen innovativen Gehäusen von Infineon kombiniert. Weitere Informationen sind erhältlich unter www.infineon.com/700V-p7.