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© infineon Komponenten | 19 Januar 2017

700 V CoolMOS P7 von Infineon für quasiresonante Flyback-Topologien

Die neue 700 V CoolMOS P7-Familie der Infineon Technologies AG bietet eine ideale Lösung fĂŒr quasiresonante Flyback-Topologien, sowohl bei aktuellen wie kĂŒnftigen Entwicklungen.
Das ist eine ProduktankĂŒndigung von Infineon. Allein der Emittent ist fĂŒr den Inhalt verantwortlich.
Die MOSFETs liefern eine deutliche Leistungsverbesserung im Vergleich zu den derzeit verwendeten Superjunction-Technologien. Von dieser Verbesserung profitieren resonant schaltende Topologien, die in LadegerĂ€ten fĂŒr Smartphones und Tablets zum Einsatz kommen, aber auch in Notebook-Adaptern. DarĂŒber hinaus unterstĂŒtzt der neue CoolMOS höhere Schaltfrequenzen und eine hohe Leistungsdichte, etwa fĂŒr TV-Adapter und Anwendungen im Bereich Beleuchtung, Audio und Aux. Dank verbessertem Formfaktor ermöglicht die Familie sehr schlanke Designs. Die neue Technologie sorgt im Vergleich zu Wettbewerbsprodukten fĂŒr reduzierte Schaltverluste (E OSS) von 27 bis 50 Prozent. In flyback-basierten LadegerĂ€ten kann die Effizienz um bis zu 3,9 Prozent gesteigert werden, wĂ€hrend die Temperatur des Bauteils um bis zu 16 K geringer ist. GegenĂŒber der bisherigen 650-V-C6-Technologie verbessert sie den Wirkungsgrad um 2,4 Prozent und senkt die Temperatur um 12 K. Eine integrierte Zenerdiode ermöglicht eine höhere ESD-Robustheit bis zur HBM-Klasse 2. Damit können Kunden eine bessere Montageausbeute erzielen, da produktionsbedingte AusfĂ€lle reduziert werden und die Gesamtkosten der Herstellung sinken. Auch bei den Kennzahlen R DS(on)*Q g und R DS(on)*E OSS, die Einfluss auf die Verlustleistung haben, zeigt der 700 V CoolMOS P7 deutlich verbesserte Eigenschaften. Verglichen mit der C6-Technologie und der einiger Wettbewerber, liefert die neue Familie eine zusĂ€tzliche Sperrspannung von 50 V. Zur einfacheren Nutzung weist die neue Technologie einen V GSth von 3 V auf und eine sehr enge Toleranz von ± 0,5 V. Die neue P7-Familie kann so mit geringerer Gate-Source-Spannung gesteuert werden, was zu weniger Verlusten im Standby-Betrieb fĂŒhrt. Gerade in preissensiblen Segmenten bietet der neue 700 V CoolMOS P7 ein attraktives Preis-Leistungs-VerhĂ€ltnis, das weitere Wettbewerbsvorteile bietet. VerfĂŒgbarkeit Der 700 V CoolMOS P7 MOSFET ist in den gebrĂ€uchlichen Kombinationen von Einschaltwiderstand (R DS(on)) und GehĂ€usen lieferbar, einschließlich 360 m℩ bis 1400 m℩ in den GehĂ€usen IPAK SL, DPAK und TO-220FP. Das Angebot an R DS(on)-Klassen fĂŒr die Produktfamilie wird weiterentwickelt, und die Superjunction-Technologie mit neuen innovativen GehĂ€usen von Infineon kombiniert. Weitere Informationen sind erhĂ€ltlich unter www.infineon.com/700V-p7.
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2019.02.19 01:06 V12.2.0-2