STMicroelectronics bringt neue Super-Junction-MOSFETs

Unter anderem zählt dazu der weltweit erste 1.500 V Super-Junction-MOSFET, der mit diesem neuen und wichtigen Gehäuse mit hoher Lichtbogenbeständigkeit angeboten wird. Das TO-220FP Wide Creepage Gehäuse eignet sich ideal für Leistungstransistoren in Open-Frame-Netzteilen, wie sie üblicherweise in Anwendungen wie etwa Fernsehgeräten und PCs eingesetzt werden. Diese Netzteile sind anfällig gegen Verunreinigungen durch Staub und Partikel, die zu Überschlägen zwischen den Transistoranschlüssen führen können. Der vergrößerte Anschlussabstand der Transistoren von 4,25 mm macht ein spezielles Vergießen ebenso überflüssig wie besonders geformte Anschlüsse, Schutzhülsen oder Versiegelungsmaßnahmen, um die Lichtbogenbildung zu verhindern, zu der es bei konventionellen Gehäusen mit nur 2,54 mm Anschlussabstand kommen kann. Netzteilhersteller können damit jetzt die einschlägigen Sicherheitsvorschriften erfüllen und die Ausfallhäufigkeit im Feld minimieren, ohne die genannten zusätzlichen Maßnahmen anwenden zu müssen. Hierdurch vereinfacht sich die Fertigung und die Produktivität steigt. Während es sich einerseits durch erhöhte Lichtbogenbeständigkeit auszeichnet, behält das TO-220FP Wide Creepage Gehäuse andererseits die herausragenden elektrischen Eigenschaften der populären Bauform TO-220FP bei. Die ähnlichen Außenabmessungen tragen außerdem zu einem einfachen Design-in bei und gewährleisten die Kompatibilität zu bestehenden Montageprozessen. ST entwickelte das TO-220FP Wide Creepage Gehäuse in Zusammenarbeit mit seinem Kunden SoluM, einem führenden Leistungselektronikhersteller in Korea. SoluM nutzt dieses herausragende Gehäuse um neue Leistungselektroniklösungen zu entwickeln, die robuster und kostengünstiger sind als Wettbewerbsprodukte. ST fährt derzeit für einen wichtigen, weltweit tätigen Fernsehgeräte-Hersteller die Produktion der Leistungstransistoren im TO-220FP Wide Creepage Gehäuse hoch. Das Produkt-Portfolio umfasst vier vollständig qualifizierte 600 V MDmesh™ M2-MOSFETs mit niedrigen RDS(ON)-Werten und Nennströmen von 8 A bis 34 A. Die Qualifikation der MDmesh K5-Bausteine STFH12N150K5 (1.500 V) und STFH12N120K5 (1.200 V) erfolgt bis zum Ende des dritten Quartals 2016.