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© STMicroelectronics Komponenten | 09 August 2016

STMicroelectronics bringt neue Super-Junction-MOSFETs

STMicroelectronics hat eine Palette von Leistungstransistoren mit dem Gehäusetyp TO-220 FullPAK (TO-220FP) mit vergrößerter Kriechstrecke (Wide Creepage) vorgestellt.
Das ist eine Produktank√ľndigung von STMicroelectronics. Allein der Emittent ist f√ľr den Inhalt verantwortlich.
Unter anderem z√§hlt dazu der weltweit erste 1.500 V Super-Junction-MOSFET, der mit diesem neuen und wichtigen Geh√§use mit hoher Lichtbogenbest√§ndigkeit angeboten wird. Das TO-220FP Wide Creepage Geh√§use eignet sich ideal f√ľr Leistungstransistoren in Open-Frame-Netzteilen, wie sie √ľblicherweise in Anwendungen wie etwa Fernsehger√§ten und PCs eingesetzt werden. Diese Netzteile sind anf√§llig gegen Verunreinigungen durch Staub und Partikel, die zu √úberschl√§gen zwischen den Transistoranschl√ľssen f√ľhren k√∂nnen. Der vergr√∂√üerte Anschlussabstand der Transistoren von 4,25 mm macht ein spezielles Vergie√üen ebenso √ľberfl√ľssig wie besonders geformte Anschl√ľsse, Schutzh√ľlsen oder Versiegelungsma√ünahmen, um die Lichtbogenbildung zu verhindern, zu der es bei konventionellen Geh√§usen mit nur 2,54 mm Anschlussabstand kommen kann. Netzteilhersteller k√∂nnen damit jetzt die einschl√§gigen Sicherheitsvorschriften erf√ľllen und die Ausfallh√§ufigkeit im Feld minimieren, ohne die genannten zus√§tzlichen Ma√ünahmen anwenden zu m√ľssen. Hierdurch vereinfacht sich die Fertigung und die Produktivit√§t steigt. W√§hrend es sich einerseits durch erh√∂hte Lichtbogenbest√§ndigkeit auszeichnet, beh√§lt das TO-220FP Wide Creepage Geh√§use andererseits die herausragenden elektrischen Eigenschaften der popul√§ren Bauform TO-220FP bei. Die √§hnlichen Au√üenabmessungen tragen au√üerdem zu einem einfachen Design-in bei und gew√§hrleisten die Kompatibilit√§t zu bestehenden Montageprozessen. ST entwickelte das TO-220FP Wide Creepage Geh√§use in Zusammenarbeit mit seinem Kunden SoluM, einem f√ľhrenden Leistungselektronikhersteller in Korea. SoluM nutzt dieses herausragende Geh√§use um neue Leistungselektronikl√∂sungen zu entwickeln, die robuster und kosteng√ľnstiger sind als Wettbewerbsprodukte. ST f√§hrt derzeit f√ľr einen wichtigen, weltweit t√§tigen Fernsehger√§te-Hersteller die Produktion der Leistungstransistoren im TO-220FP Wide Creepage Geh√§use hoch. Das Produkt-Portfolio umfasst vier vollst√§ndig qualifizierte 600 V MDmesh‚ĄĘ M2-MOSFETs mit niedrigen RDS(ON)-Werten und Nennstr√∂men von 8 A bis 34 A. Die Qualifikation der MDmesh K5-Bausteine STFH12N150K5 (1.500 V) und STFH12N120K5 (1.200 V) erfolgt bis zum Ende des dritten Quartals 2016.
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