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© fairchild Komponenten | 24 März 2016

Fairchilds PowerTrench MOSFETs der nächsten Generation

Fairchild, ein weltweit Anbieter von High-Performance Halbleiterlösungen, stellt das Flaggschiff seiner neuesten Generation von 100-V N-Kanal Leistungs-MOSFETs vor: den 100-V Shielded-Gate PowerTrench MOSFET FDMS86181.
Das ist eine Produktankündigung von Fairchild. Allein der Emittent ist für den Inhalt verantwortlich.
Als erster verfügbarer Baustein in Fairchilds neuer Generation von PowerTrench MOSFETs bietet der FDMS86181 substanzielle Verbesserungen in der Effizienz, reduziertes Überschwingen und geringere elektromagnetische Interferenz (EMI) für Stromversorgungen, Motorsteuerungen und andere Applikationen, die den Einsatz von 100-V MOSFETs erfordern.

Fairchild ist ein früher Pionier der vor fast 25 Jahren eingeführten, sehr erfolgreichen PowerTrench MOSFETs. Mit der neuesten Generation der PowerTrench-Bausteine steht Fairchild nach wie vor an vorderster Front der MOSFET-Entwicklung und ist dem Wettbewerb bei der Erfüllung anspruchsvollster Anwenderforderungen an die Systemleistung ihrer Designs weit voraus.

„Unser neuer 100-V N-Kanal FET ist ein wesentlicher Fortschritt gegenüber der vorhergehenden, ebenfalls industrieweit führenden Generation der PowerTrench-MOSFETs. Er übertrifft die Wettbewerbsprodukte in jeder Performance-Kategorie, von der Effizienz bis zur Zuverlässigkeit“, sagt Suman Narayan, Vice President und General Manager der Fairchild iFET Business Unit.

Zu den wichtigsten Vorteilen des neuen FDMS86181 zählt die Reduktion des Rds(on)-Werts um 40 Prozent, was die Leitungsverluste verringert. Gleichzeitig senkt seine minimierte Gate-Ladung (Qg) die Schaltverluste. Der außergewöhnlich niedrige Qrr-Wert des FDMS86181 eliminiert Spannungs-Overshoots und deren Ringing-Effekte. Dies erlaubt die Einschränkung oder Eliminierung des Einsatzes von Snubbern in Produktenwicklungen und verringert EMI-Störungen. Dieser spezielle Vorteil des FDMS86181 ermöglicht kompaktere Produkte mit niedrigeren Materialkosten (BOM).

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