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© hannu viitanen dreamstime.com Komponenten | 18 M├Ąrz 2016

Toshiba baut neue Halbleiterfertigungsanlage

Toshiba hat beschlossen, einen neuen Bau- und Finanzplan f├╝r eine neue Fertigungsanlage auszuweiten.
Die neue Anlage, die in der N├Ąhe des Yokkaichi Operations Speicherproduktionskomplex in der Pr├Ąfektur Mie gebaut werden soll, soll die Produktionsanzahl an BiCS FLASHTM des Unternehmens steigern. Der Hauptgrund f├╝r die neue Fertigungsanlage ist, dass die Produktion von BiCS FLASHTM einen neuen Reinraum mit speziellen Ausr├╝stungen f├╝r das 3D-Verfahren ben├Âtigen. Das neue Fab 2 Geb├Ąude, das im ersten Halbjahr von 2016 fertiggestellt werden soll, wird zun├Ąchst diesen Raum zur Verf├╝gung stelle. Um der ansteigenden Nachfrage gerecht zu werden, muss Toshiba einen zus├Ątzlichen Reinraum f├╝r die 3D-Flash-Speicher konstruieren. Die Investition in die neue Anlage wird auf rund JPY 360 Milliarden (2,85 Milliarden Euro) von 2016 bis 2018 gesch├Ątzt.
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2019.02.22 14:26 V12.2.6-1