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© hannu viitanen dreamstime.com Komponenten | 18 MĂ€rz 2016

Toshiba baut neue Halbleiterfertigungsanlage

Toshiba hat beschlossen, einen neuen Bau- und Finanzplan fĂŒr eine neue Fertigungsanlage auszuweiten.
Die neue Anlage, die in der NÀhe des Yokkaichi Operations Speicherproduktionskomplex in der PrÀfektur Mie gebaut werden soll, soll die Produktionsanzahl an BiCS FLASHTM des Unternehmens steigern.

Der Hauptgrund fĂŒr die neue Fertigungsanlage ist, dass die Produktion von BiCS FLASHTM einen neuen Reinraum mit speziellen AusrĂŒstungen fĂŒr das 3D-Verfahren benötigen. Das neue Fab 2 GebĂ€ude, das im ersten Halbjahr von 2016 fertiggestellt werden soll, wird zunĂ€chst diesen Raum zur VerfĂŒgung stelle. Um der ansteigenden Nachfrage gerecht zu werden, muss Toshiba einen zusĂ€tzlichen Reinraum fĂŒr die 3D-Flash-Speicher konstruieren.

Die Investition in die neue Anlage wird auf rund JPY 360 Milliarden (2,85 Milliarden Euro) von 2016 bis 2018 geschÀtzt.
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2018.12.05 15:01 V11.10.4-2