Toshiba baut neue Halbleiterfertigungsanlage

Die neue Anlage, die in der Nähe des Yokkaichi Operations Speicherproduktionskomplex in der Präfektur Mie gebaut werden soll, soll die Produktionsanzahl an BiCS FLASHTM des Unternehmens steigern. Der Hauptgrund für die neue Fertigungsanlage ist, dass die Produktion von BiCS FLASHTM einen neuen Reinraum mit speziellen Ausrüstungen für das 3D-Verfahren benötigen. Das neue Fab 2 Gebäude, das im ersten Halbjahr von 2016 fertiggestellt werden soll, wird zunächst diesen Raum zur Verfügung stelle. Um der ansteigenden Nachfrage gerecht zu werden, muss Toshiba einen zusätzlichen Reinraum für die 3D-Flash-Speicher konstruieren. Die Investition in die neue Anlage wird auf rund JPY 360 Milliarden (2,85 Milliarden Euro) von 2016 bis 2018 geschätzt.