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© aixtron Komponenten | 11 MĂ€rz 2016

LG Innotek setzt auf Aixtron-Technologie

Aixtron, gibt bekannt, dass mit LG Innotek einer der fĂŒhrenden koreanischen Elektronikhersteller eine AIX G5 WW (Warm-Wall)-Anlage zur Entwicklung von Wafern auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) erworben hat.
Ziel ist die Herstellung von Leistungsbauelementen zur Anwendung in den Bereichen Automobil und erneuerbare Energien. Die fĂŒr 8x6-Zoll-Substrate konfigurierte Anlage wurde im vierten Quartal 2015 ausgeliefert.

Die AIX G5 WW VPE-Anlage basiert auf Aixtrons bewĂ€hrter Planetentechnologie und verfĂŒgt ĂŒber die grĂ¶ĂŸte LadekapazitĂ€t sowie den höchsten Durchsatz in der Industrie. Die Anlage ist so ausgelegt, dass sie die Produktionskosten auf ein Minimum begrenzt und gleichzeitig eine hervorragende ProduktionsqualitĂ€t liefert.

Dr. Minseok Kang, Vice President von LG Innotek und Leiter des koreanischen World Premier Material-Projekts, erlĂ€utert: „Wir sehen bei den großen Automobilherstellern eine steigende Nachfrage nach SiC-basierten Materialien. Basierend auf unseren langjĂ€hrigen und guten Erfahrungen mit den Depositionsanlagen von Aixtron glauben wir, dass die AIX G5 WW herausragende Produktvorteile wie höchsten Durchsatz und Ausbeute auf 6-Zoll-Wafern bietet. DarĂŒber hinaus können wir bereits vorab Siliziumkarbid-Wafer in Aixtrons Labor fĂŒr SiC-Anwendungen qualifizieren – eine Ă€ußerst wertvolle und engagierte KundenunterstĂŒtzung, die wir sehr zu schĂ€tzen wissen.“

„Unsere AIX G5 WW trĂ€gt den Anforderungen an die Großserienproduktion von SiC-basierten Leistungselektronikbauelementen in perfekter Weise Rechnung. Wir werden LG Innotek unsere volle UnterstĂŒtzung bei der schnellen Inbetriebnahme und SiC-Prozessqualifizierung der Anlage zukommen lassen“, sagt Dr. Frank Wischmeyer, Vice President Power Electronics bei Aixtron.
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2018.12.05 15:01 V11.10.4-2