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© aixtron Komponenten | 11 März 2016

LG Innotek setzt auf Aixtron-Technologie

Aixtron, gibt bekannt, dass mit LG Innotek einer der führenden koreanischen Elektronikhersteller eine AIX G5 WW (Warm-Wall)-Anlage zur Entwicklung von Wafern auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) erworben hat.
Ziel ist die Herstellung von Leistungsbauelementen zur Anwendung in den Bereichen Automobil und erneuerbare Energien. Die für 8x6-Zoll-Substrate konfigurierte Anlage wurde im vierten Quartal 2015 ausgeliefert.

Die AIX G5 WW VPE-Anlage basiert auf Aixtrons bewährter Planetentechnologie und verfügt über die größte Ladekapazität sowie den höchsten Durchsatz in der Industrie. Die Anlage ist so ausgelegt, dass sie die Produktionskosten auf ein Minimum begrenzt und gleichzeitig eine hervorragende Produktionsqualität liefert.

Dr. Minseok Kang, Vice President von LG Innotek und Leiter des koreanischen World Premier Material-Projekts, erläutert: „Wir sehen bei den großen Automobilherstellern eine steigende Nachfrage nach SiC-basierten Materialien. Basierend auf unseren langjährigen und guten Erfahrungen mit den Depositionsanlagen von Aixtron glauben wir, dass die AIX G5 WW herausragende Produktvorteile wie höchsten Durchsatz und Ausbeute auf 6-Zoll-Wafern bietet. Darüber hinaus können wir bereits vorab Siliziumkarbid-Wafer in Aixtrons Labor für SiC-Anwendungen qualifizieren – eine äußerst wertvolle und engagierte Kundenunterstützung, die wir sehr zu schätzen wissen.“

„Unsere AIX G5 WW trägt den Anforderungen an die Großserienproduktion von SiC-basierten Leistungselektronikbauelementen in perfekter Weise Rechnung. Wir werden LG Innotek unsere volle Unterstützung bei der schnellen Inbetriebnahme und SiC-Prozessqualifizierung der Anlage zukommen lassen“, sagt Dr. Frank Wischmeyer, Vice President Power Electronics bei Aixtron.

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2018.10.15 23:56 V11.6.0-1