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© aixtron Komponenten | 01 MĂ€rz 2016

Aixtron liefert AIX G5+ C-Anlage an französisches Start-up

Aixtron SE, ein Hersteller von Depositionsanlagen fĂŒr die Halbleiterindustrie, hat eine AIX G5+ C-Anlage an das französische Start-up Exagan geliefert.
Das Unternehmen ist eine AusgrĂŒndung von Soitec, einem Hersteller von innovativen Halbleitermaterialien, sowie von CEA-Leti, einem fĂŒhrenden europĂ€ischen Forschungszentrums mit Schwerpunkten in der Mikro- und Nanotechnologie. Exagan stellt Hochleistungswerkstoffe und hocheffiziente Leistungsschalter auf Basis von Galliumnitrid (GaN) her, die die LeistungsfĂ€higkeit und Effizienz von elektronischen Umrichtern deutlich erhöhen. Die Depositionsanlage von Aixtron wird das Unternehmen fĂŒr die Serienfertigung von GaN-auf-Silizium-Materialien fĂŒr Leistungsschalter einsetzen.

Exagan hat die AIX G5+ C gemeinsam mit seinem F&E-Partner CEA-Leti ausgewĂ€hlt, nachdem die Anlage grĂ¶ĂŸtmögliche HomogenitĂ€tskontrolle und hohen Durchsatz unter Nutzung der eigenen G-Stack Prozesstechnologie unter Beweis gestellt hatte.

Fabrice Letertre, COO und MitbegrĂŒnder von Exagan, stellt fest: „Aixtron und CEA-Leti verfĂŒgen ĂŒber eine lange und erfolgreiche F&E-Partnerschaft in der Weiterentwicklung der GaN-auf-Silizium-Technologie. Die Kooperation zwischen Exagan und AIXTRON wird dafĂŒr sorgen, dass wir durch den Einsatz des Epitaxie-Verfahrens sowohl unsere ZeitplĂ€ne einhalten als auch alle unsere Meilensteine bezĂŒglich der Kosten erreichen.“

„Unsere AIX G5+ C ist bislang die einzige Anlage, die vollautomatische GaN-auf-Silizium MOCVD-Prozesse wie in der Siliziumindustrie ermöglicht. Die Anlage erreicht die höchste On-Wafer-Uniformity mit einer Multi-Wafer-Konfiguration fĂŒr maximalen Durchsatz und Ausbeute. Wir freuen uns, gemeinsam mit dem Team von Exagan bei der Serienproduktion von 200 mm GaN-auf-Silizium-Materialien fĂŒr effiziente Anwendungen in der Leistungselektronik zusammenzuarbeiten“, erklĂ€rt Dr. Frank Wischmeyer, Vice President Power Electronics der Aixtron SE.
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2018.12.05 15:01 V11.10.4-1