Aixtron liefert AIX G5+ C-Anlage an französisches Start-up

Das Unternehmen ist eine Ausgründung von Soitec, einem Hersteller von innovativen Halbleitermaterialien, sowie von CEA-Leti, einem führenden europäischen Forschungszentrums mit Schwerpunkten in der Mikro- und Nanotechnologie. Exagan stellt Hochleistungswerkstoffe und hocheffiziente Leistungsschalter auf Basis von Galliumnitrid (GaN) her, die die Leistungsfähigkeit und Effizienz von elektronischen Umrichtern deutlich erhöhen. Die Depositionsanlage von Aixtron wird das Unternehmen für die Serienfertigung von GaN-auf-Silizium-Materialien für Leistungsschalter einsetzen. Exagan hat die AIX G5+ C gemeinsam mit seinem F&E-Partner CEA-Leti ausgewählt, nachdem die Anlage größtmögliche Homogenitätskontrolle und hohen Durchsatz unter Nutzung der eigenen G-Stack Prozesstechnologie unter Beweis gestellt hatte. Fabrice Letertre, COO und Mitbegründer von Exagan, stellt fest: „Aixtron und CEA-Leti verfügen über eine lange und erfolgreiche F&E-Partnerschaft in der Weiterentwicklung der GaN-auf-Silizium-Technologie. Die Kooperation zwischen Exagan und AIXTRON wird dafür sorgen, dass wir durch den Einsatz des Epitaxie-Verfahrens sowohl unsere Zeitpläne einhalten als auch alle unsere Meilensteine bezüglich der Kosten erreichen.“ „Unsere AIX G5+ C ist bislang die einzige Anlage, die vollautomatische GaN-auf-Silizium MOCVD-Prozesse wie in der Siliziumindustrie ermöglicht. Die Anlage erreicht die höchste On-Wafer-Uniformity mit einer Multi-Wafer-Konfiguration für maximalen Durchsatz und Ausbeute. Wir freuen uns, gemeinsam mit dem Team von Exagan bei der Serienproduktion von 200 mm GaN-auf-Silizium-Materialien für effiziente Anwendungen in der Leistungselektronik zusammenzuarbeiten“, erklärt Dr. Frank Wischmeyer, Vice President Power Electronics der Aixtron SE.