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Neue Leistungs-MOSFETs von STMicroelectronics
STMicroelectronics hat eine neue Familie von Hochspannungs-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs für Automotive-Anwendungen vorgestellt.
Das ist eine Produktankündigung von STMicroelectronics. Allein der Emittent ist für den Inhalt verantwortlich.
Die gemäß AEC-Q101 qualifizierten Bauelemente werden mit der dem neuesten Stand der Technik entsprechenden Superjunction-Technologie MDmesh™ DM2 mit Fast-Recovery-Diode hergestellt. Die Bausteine mit Durchbruchspannungen im Bereich von 400 V bis 650 V sind mit Gehäusen der Bauarten D2PAK, TO-220 und TO-247 lieferbar.
Die 400-V- und 500-V-Versionen sind die industrieweit ersten AEC-Q101-qualifizierten Bausteine mit diesen Durchbruchspannungen, und die 600-V- und 650-V-Versionen zeichnen sich durch höhere Leistungsfähigkeit aus als konkurrierende Produkte. Alle Bauelemente sind für Automotive-Anwendungen konzipiert, die eine integrierte, schnelle Body-Diode, ein sanfteres Kommutierungsverhalten und den Schutz durch eine Z-Diode parallel zur Gate-Source-Strecke erfordern. Sie eignen sich ideal für im Spannungs-Nulldurchgang schaltende Vollbrücken-Topologien.
Die neuen Leistungs-MOSFETs von ST bieten auf dem Automotive-Markt die besten Eigenschaften in Bezug auf Trr und Qrr sowie den Softness-Faktor, gehören darüber hinaus aber auch zu den besten Produkten, was die Abschaltenergie (Eoff) bei hohen Strömen betrifft. Hierdurch verbessert sich der Wirkungsgrad von Automotive-Stromversorgungen. Die ausgezeichnete Performance der schnellen Body-Diode reduziert außerdem die EMI-Probleme und erlaubt die Verwendung kleinerer passiver Filterbauelemente. Auf diese Weise ermöglicht die MDmesh™ DM2-Technologie das Design umweltfreundlicher Stromversorgungs-Lösungen, indem weniger Energie vergeudet und der Wirkungsgrad maximiert wird. Gleichzeitig werden die Abmessungen der finalen Produkte minimiert.
Einige wichtige technische Eigenschaften der neuen Automotive-Leistungs-MOSFETs von ST:
- Body-Diode mit kurzer Sperrverzögerungszeit
- Extrem geringe Gateladung (44 nC) und Eingangskapazität (1.850 pF) für einen 500-V-Baustein im D2PAK-Gehäuse
- Geringer Einschaltwiderstand
- Unerreicht gute Sperrverzögerungszeit (Trr) von 120 ns bei 28 A für einen 600-V-Baustein im TO-247-Gehäuse bzw. 135 ns bei 48 A für einen 650-V-Baustein im TO-247-Gehäuse
- Gate-Source-Strecke durch Z-Diode geschützt
