Anzeige
Anzeige
Anzeige
Anzeige
Anzeige
Anzeige
© Infineon Komponenten | 26 November 2015

2EDN EiceDRIVER für MOSFETs setzt neue Standards

Erstmals bietet die Infineon Technologies AG mit dem 2EDN7524 EiceDRIVE einen MOSFET-Treiber für die PFC-, LLC- und Synchrongleichrichter-Stufen von Schaltnetzeilen.

Das ist eine Produktankündigung von Infineon Technologies AG. Allein der Emittent ist für den Inhalt verantwortlich.
Für die Entwicklung des dedizierten Treibers nutzte das Unternehmen sowohl sein umfassendes Wissen als auch die führende Marktposition im MOSFET-Bereich. Als weiteres Mitglied der EiceDRIVER-Familie ist der 2EDN-Baustein das wesentliche Bindeglied zwischen Steuerungs-IC sowie MOSFET- und GaN-Schaltern. In Verbindung mit einem MOSFET wie dem CoolMOS C7 ermöglicht der Treiber eine hohe Effizienz sowie eine hervorragende Leistungsdichte und Systemrobustheit. Der 2EDN7524 EiceDRIVER wird in Standardgehäusen mit einer 8pin-Anschluss-belegung geliefert und verfügt über zwei unabhängige, nicht isolierte Low-Side-Gate-Kanäle. Diese können einen Source- und Sink-Strom von jeweils 5 A liefern. Beide Kanäle arbeiten mit typischen Anstiegs-/Abfall-Zeiten von nur 5 ns. Eine äußerst geringe Verzögerungszeit zwischen den beiden Kanälen von nur 1 ns ermöglicht eine Parallelisierung der Kanäle, um den Treiberstrom zu verdoppeln. Neben der hohen Stromstärke bieten die Ausgangsstufen auch einen geringen R DS(ON). Dies verringert die Verlustleistung der Treiber, selbst wenn nur ein kleiner oder gar kein externer Gate-Widerstand verwendet wird. Eine hohe Widerstands-fähigkeit gegenüber „Ground Bounce“ (Anhebung des Ground-Levels) und damit eine höhere Systemzuverlässigkeit werden dadurch erreicht, dass die Treiber-ICs an den Steuer- und Enable-Eingängen bis zu -10 V DC verarbeiten können. Die Serienfertigung der 2EDN7524 MOSFET-Treiber in einem DSO-8-Gehäuse mit einem Under Voltage Lock Out (UVLO) von 4 V hat begonnen. Die UVLO-Variante mit 8 V und ein TSSOP-Gehäuse mit 4 V und 8 V sind ab Januar 2016 lieferbar. Im WSON-Gehäuse steht das Bauteil in beiden Varianten ab dem ersten Quartal 2016 zur Verfügung.
Weitere Nachrichten
2019.08.21 15:49 V14.1.4-2