2EDN EiceDRIVER für MOSFETs setzt neue Standards

Für die Entwicklung des dedizierten Treibers nutzte das Unternehmen sowohl sein umfassendes Wissen als auch die führende Marktposition im MOSFET-Bereich. Als weiteres Mitglied der EiceDRIVER-Familie ist der 2EDN-Baustein das wesentliche Bindeglied zwischen Steuerungs-IC sowie MOSFET- und GaN-Schaltern. In Verbindung mit einem MOSFET wie dem CoolMOS C7 ermöglicht der Treiber eine hohe Effizienz sowie eine hervorragende Leistungsdichte und Systemrobustheit. Der 2EDN7524 EiceDRIVER wird in Standardgehäusen mit einer 8pin-Anschluss-belegung geliefert und verfügt über zwei unabhängige, nicht isolierte Low-Side-Gate-Kanäle. Diese können einen Source- und Sink-Strom von jeweils 5 A liefern. Beide Kanäle arbeiten mit typischen Anstiegs-/Abfall-Zeiten von nur 5 ns. Eine äußerst geringe Verzögerungszeit zwischen den beiden Kanälen von nur 1 ns ermöglicht eine Parallelisierung der Kanäle, um den Treiberstrom zu verdoppeln. Neben der hohen Stromstärke bieten die Ausgangsstufen auch einen geringen R DS(ON). Dies verringert die Verlustleistung der Treiber, selbst wenn nur ein kleiner oder gar kein externer Gate-Widerstand verwendet wird. Eine hohe Widerstands-fähigkeit gegenüber „Ground Bounce“ (Anhebung des Ground-Levels) und damit eine höhere Systemzuverlässigkeit werden dadurch erreicht, dass die Treiber-ICs an den Steuer- und Enable-Eingängen bis zu -10 V DC verarbeiten können. Die Serienfertigung der 2EDN7524 MOSFET-Treiber in einem DSO-8-Gehäuse mit einem Under Voltage Lock Out (UVLO) von 4 V hat begonnen. Die UVLO-Variante mit 8 V und ein TSSOP-Gehäuse mit 4 V und 8 V sind ab Januar 2016 lieferbar. Im WSON-Gehäuse steht das Bauteil in beiden Varianten ab dem ersten Quartal 2016 zur Verfügung.