Intel mit signifikanten Investitionen in China

5,5 Milliarden US-Dollar will der Halbleiterhersteller in die Dalian Anlage in China investieren.

Von dieser großen und signifikanten Investition in eine chinesische Fertigungsstätte berichtet Intels General Manager der Non-Volatile Memory Solutions Group, Rob Crooke in einem öffentlichen Statement. Die Fab 68 in Dalian wurde 2010 gebaut und bisher wurden dort Chipsätze produziert. In Zukunft sollen auch 3D-NAND-Flash-Speicher gefertigt werden. Mit dieser Auf- und Umrüstung will der Halbleiterhersteller Intel seine Kapazitäten an der Flash-Speicher-Produktion erhöhen, um so auf dem Markt konkurrenzfähig zu sein. Geplant ist, dass im zweiten Halbjahr von 2016 bereits die ersten 3D-NAND-Chips fertiggestellt werden können.

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