Infineon erweitert das Produktangebot bei Galliumnitrid (GaN)

Zur diesjährigen European Microwave Week wird eine Familie von Hochfrequenz-(HF)-Leistungstransistoren eingeführt, die auf GaN-on-Silicon Carbide-(SiC) basiert. Im Mobilfunk ermöglichen sie kleinere, leistungsstärkere und flexiblere Sender für Basisstationen. Die neuen Bauteile bieten einen besseren Wirkungsgrad, eine höhere Leistungsdichte und eine größere Bandbreite als derzeit verwendete HF-Leistungstransistoren. Dadurch machen sie den Infrastrukturaufbau bereits für heutige Mobilfunknetze wirtschaftlicher. Außerdem bereiten die GaN-Bausteine den Weg zur 5G-Technologie mit höheren Datenvolumen und einem so verbesserten Benutzerkomfort. „Die neue Bauteilfamilie kombiniert unsere Innovationskraft mit unseren Kenntnissen darüber, welche Anforderungen an Mobilfunkinfrastrukturen gestellt werden. Damit bieten wir unseren Kunden weltweit HF-Leistungstransistoren der nächsten Generation an. Diese ermöglichen eine erheblich bessere Betriebsleistung und kleinere Baugrößen auf der Senderseite einer Mobilfunkbasisstation,“ erklärt Gerhard Wolf, Vice President und General Manager des Geschäftsbereichs HF-Leistungsprodukte von Infineon. „Mit dem Übergang zur Wide-Bandgap-Halbleiter-Technologie legen wir zusätzlich das Tempo für die weitere Entwicklung der Mobilfunkinfrastruktur vor.“ Die neuen HF-Leistungstransistoren nutzen die Leistungsfähigkeit der GaN-Technologie und erreichen dadurch einen um zehn Prozent besseren Wirkungsgrad und eine fünfmal höhere Leistungsdichte als die derzeit gängigen LDMOS-Transistoren. Dies verringert den Platz- und Energiebedarf für Leistungsverstärker von derzeit verwendeten Basisstationssendern, die entweder im Frequenzbereich von 1,8-2,2 GHz oder 2,3-2,7 GHz arbeiten. Zukünftige GaN-on-SiC-Bauteile werden zusätzlich 5G-Mobilfunkfrequenzbereichevon bis zu 6 GHz unterstützen. Bei diesem Technologiefahrplan für HF-Transistoren kann Infineon auf langjährige Erfahrung und moderne Produktionstechnologien bauen. Designflexibilität und die Unterstützung der 4G-Technologie sind zusätzliche Vorteile von GaN-Bauteilen für HF-Leistungsanwendungen. Die neuen Bauteile weisen die doppelte HF-Bandbreite von LDMOS-Transistoren auf, so dass ein Leistungsverstärker mehrere Betriebsfrequenzen unterstützen kann. Sie stellen den Sendern ebenso eine höhere Echtzeitbandbreite bereit, wodurch Mobilfunkbetreiber mithilfe der für 4,5G-Netzwerke entwickelten Datenverdichtungstechnik höhere Datenraten anbieten können.