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© STMicroelectronics Komponenten | 02 September 2015

Neue Leistungs-MOSFETs von STMicroelectronics

STMicroelectronics hat seine aus n-Kanal Leistungs-MOSFETs bestehende Serie MDmesh™ M2 neuerlich erweitert und eine neue Bausteinfamilie vorgestellt.

Das ist eine Produktankündigung von STMicroelectronics. Allein der Emittent ist für den Inhalt verantwortlich.
Diese erreicht die industrieweit höchste Energieeffizienz in Stromversorgungen für Server und Laptops sowie in Telekommunikations- und Consumer-Anwendungen, und hier speziell bei geringer Last. Designer können mit den neuen Bauelementen Schaltnetzteil-Lösungen entwickeln, die einerseits leichter und kompakter sind und andererseits problemlos die immer strengeren Energieeffizienz-Vorgaben erfüllen. Die neuen 600-V-Bausteine der Reihe MDmesh M2 EP kombinieren das bewährte Strip-Layout von ST mit einer neuen, verbesserten vertikalen Struktur sowie einem optimierten Diffusionsprozess. Sie kommen damit nahe an die Eigenschaften eines idealen Schalters heran, indem sie einen sehr geringen Einschaltwiderstand mit den geringsten verfügbaren Abschaltverlusten verbinden. Die Bausteine sind maßgeschneidert für Wandler mit sehr hoher Schaltfrequenz (> 150 kHz) und damit ideal für anspruchsvollste Stromversorgungs-Anwendungen geeignet. Die neuen Bauelemente bieten ideale Eigenschaften für hart und weich geschaltete Topologien, darunter auch resonante Topologien wie etwa LLC-Schaltungen. Sie zeichnen sich außerdem speziell im Betrieb mit geringer Last durch extrem kleine Schaltverluste aus. Abgesehen von der sehr geringen Gateladung, die typisch für alle MDmesh M2-Bausteine ist, überzeugen die Produkte der Reihe M2 EP durch eine bis zu 20-prozentige Reduzierung der Abschaltenergie (Eoff), wodurch die Abschaltverluste hart geschalteter Wandler um den gleichen Prozentsatz zurückgehen. Diese Eoff-Reduzierung bei geringen Stromstärken bewirkt eine Steigerung des Wirkungsgrads im Betrieb mit geringer Ausgangsleistung, für den immer anspruchsvollere Regeln für die Effizienz-Zertifizierung gelten. Der verbesserte Verlauf des Abschaltvorgangs sorgt für eine höhere Effizienz und ein reduziertes Störaufkommen in Resonanzwandlern und bewirkt, dass in jedem Zyklus mehr Energie gespeichert und wiederverwendet werden kann, anstatt als Wärme vergeudet zu werden. Hier einige wichtige Eigenschaften der Serie MDmesh M2 EP:
  • Extrem geringe Gateladung (Qg) von nur 16 nC
  • Optimiertes Kapazitätsprofil im Betrieb mit geringer Last
  • Optimierte Vth- und Rg-Werte für sanfte Schaltvorgänge
  • Robuste Body-Diode
Die MDmesh M2 EP-Familie wird mit einer großen Auswahl an Gehäusen (PowerFLAT 5x6 HV, DPAK, D2PAK, TO-220, TO-220FP, I2PAKFP und TO-247) angeboten und wendet sich an Stromversorgungs-Applikationen, die nach größtmöglicher Effizienz verlangen. Die Massenfertigung aller Bausteine hat bereits eingesetzt.
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2019.06.17 21:26 V13.3.21-1