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© toshiba Komponenten | 13 August 2015

Toshiba entwickelt weltweit ersten 256Gb, 48-Layer BiCS FLASH™

Toshiba Corporation stellt seinen neuen BiCS FLASH™ Speicher mit dreidimensionalem (3D) Stack-Zellenaufbau vor.

Das ist eine Produktankündigung von Toshiba Corporation. Allein der Emittent ist für den Inhalt verantwortlich.
Dabei handelt es sich um den weltweit ersten 256-Gigabit (32Gigabyte) 48-Layer BiCS Flash-Speicher, der auf einer Technologie mit 3-Bits-pro-Zelle (Triple-Level Cell, TLC) basiert. BiCS FLASH basiert auf einem Stack-Prozess mit 48 Lagen und übertrifft die Speicherkapazität herkömmlicher 2D NAND Flash-Speicher. Gleichzeitig verbessert sich die Schreib-/Lösch-Belastbarkeit und die Schreibgeschwindigkeit. Der neue 256Gb Speicher eignet sich für zahlreiche Anwendungen wie Consumer-SSDs, Smartphones, Tablets und Speicherkarten sowie für Enterprise-SSDs in Datenzentren. Seit der Ankündigung der BiCS FLASH-Prototypentechnologie im Juni 2007 hat Toshiba die Entwicklung weiter vorangetrieben und für die Serienfertigung optimiert. Um den wachsenden Bedarf an Flash-Speicher im Jahr 2016 und darüber hinaus zu decken, fördert Toshiba den Übergang zu BiCS FLASH durch ein Angebot, das große Speicherkapazitäten bedient, z.B. SSDs. Toshiba bietet schon seit langem Flash-Speicher und bereitet derzeit die Serienfertigung für BiCS FLASH in seiner neuen Fab2 am NAND-Flash-Fertigungsstandort in Yokkaichi vor. Fab2 wird im ersten Halbjahr 2016 in Betrieb genommen.
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