Anzeige
Anzeige
Anzeige
Anzeige
© stmicroelectronics Komponenten | 18 Juni 2015

Neue S-Serie von STMicroelectronics

Die neuen 1.200 V IGBTs von STMicroelectronics erzielen die höchste LeistungsfÀhigkeit der Industrie bei niedrigen Frequenzen.
Das ist eine ProduktankĂŒndigung von STMicroelectronics. Allein der Emittent ist fĂŒr den Inhalt verantwortlich.
Die 1200-V-IGBTs der neuen S-Serie von STMicroelectronics sind fĂŒr die niedrigsten kombinierten Leitungs- und Abschaltverluste bei Schaltfrequenzen bis 8 kHz optimiert, um die Umwandlungs-Effizienz von unterbrechungsfreien Stromversorgungen, PV-Anlagen, industriellen Antrieben und Ă€hnlichen Anwendungen zu verbessern.

Unter allen derzeit auf dem Markt angebotenen 1.200 V IGBTs weist die S-Serie die niedrigste SĂ€ttigungsspannung (VCE(sat)) auf, was einen geringeren Spannungsabfall ergibt und durch die minimierte Verlustleistung das WĂ€rmemanagement vereinfacht. Der positive Temperaturkoeffizient der SĂ€ttigungsspannung und die geringe Exemplarstreuung vereinfachen außerdem die Parallelschaltung mehrerer Bausteine fĂŒr Anwendungen mit höherem Leistungsbedarf. Die sehr geringen Spannungs-Überschwinger und die Tatsache, dass beim Abschalten keine Oszillationen auftreten, vereinfachen die externe Beschaltung und reduzieren den Bauteileaufwand.

Mit einer minimalen Kurzschlussfestigkeitszeit von 10 ”s (bei einer Anfangs-Sperrschichttemperatur von 150 °C), Latch-up-freiem Betrieb, einer erhöhten maximalen Sperrschichttemperatur im Betrieb von 175 °C und einem großen sicheren Arbeitsbereich (Safe Operating Area – SOA) erweisen sich die neuen Bausteine als sehr robust und zuverlĂ€ssig.

Die neue, auf der Trench-Gate Field-Stop-Technologie der dritten Generation basierende S-Serie eignet sich ideal fĂŒr hart geschaltete Topologien im Frequenzbereich bis 8 kHz. Sie ergĂ€nzt damit die 1.200 V IGBTs der M- und der H-Serie von ST, die fĂŒr optimale Effizienz bei Frequenzen bis bzw. ĂŒber 20 kHz ausgelegt sind. Gemeinsam ergeben diese drei Serien die beste Auswahl an fortschrittlichen, hocheffizienten Bausteinen fĂŒr IGBT-Schaltungen mit den ĂŒblicherweise verwendeten Schaltfrequenzen.

Die heute angekĂŒndigten IGBTs der S-Serie bieten Nennströme von 15 A, 25 A und 40 A in Standard- oder Long-Lead-TO-247-GehĂ€usen. Alle Bausteine enthalten im selben GehĂ€use eine Freilaufdiode der neuesten Generation, die dank ihrer schnellen Sperrverzögerungs-Eigenschaften und ihrer besonders sanften Charakteristik fĂŒr sehr geringe EMI-Effekte und Einschaltverluste sorgt. Die Preise beginnen bei 2,80 US-Dollar fĂŒr die 15-A-Version STGW15S120DF3 im Standard-TO-247-GehĂ€use (ab 1.000 StĂŒck).
Weitere Nachrichten
2019.01.17 14:20 V11.11.0-1