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© stmicroelectronics Komponenten | 18 Juni 2015

Neue S-Serie von STMicroelectronics

Die neuen 1.200 V IGBTs von STMicroelectronics erzielen die höchste Leistungsfähigkeit der Industrie bei niedrigen Frequenzen.

Das ist eine Produktankündigung von STMicroelectronics. Allein der Emittent ist für den Inhalt verantwortlich.
Die 1200-V-IGBTs der neuen S-Serie von STMicroelectronics sind für die niedrigsten kombinierten Leitungs- und Abschaltverluste bei Schaltfrequenzen bis 8 kHz optimiert, um die Umwandlungs-Effizienz von unterbrechungsfreien Stromversorgungen, PV-Anlagen, industriellen Antrieben und ähnlichen Anwendungen zu verbessern. Unter allen derzeit auf dem Markt angebotenen 1.200 V IGBTs weist die S-Serie die niedrigste Sättigungsspannung (VCE(sat)) auf, was einen geringeren Spannungsabfall ergibt und durch die minimierte Verlustleistung das Wärmemanagement vereinfacht. Der positive Temperaturkoeffizient der Sättigungsspannung und die geringe Exemplarstreuung vereinfachen außerdem die Parallelschaltung mehrerer Bausteine für Anwendungen mit höherem Leistungsbedarf. Die sehr geringen Spannungs-Überschwinger und die Tatsache, dass beim Abschalten keine Oszillationen auftreten, vereinfachen die externe Beschaltung und reduzieren den Bauteileaufwand. Mit einer minimalen Kurzschlussfestigkeitszeit von 10 µs (bei einer Anfangs-Sperrschichttemperatur von 150 °C), Latch-up-freiem Betrieb, einer erhöhten maximalen Sperrschichttemperatur im Betrieb von 175 °C und einem großen sicheren Arbeitsbereich (Safe Operating Area – SOA) erweisen sich die neuen Bausteine als sehr robust und zuverlässig. Die neue, auf der Trench-Gate Field-Stop-Technologie der dritten Generation basierende S-Serie eignet sich ideal für hart geschaltete Topologien im Frequenzbereich bis 8 kHz. Sie ergänzt damit die 1.200 V IGBTs der M- und der H-Serie von ST, die für optimale Effizienz bei Frequenzen bis bzw. über 20 kHz ausgelegt sind. Gemeinsam ergeben diese drei Serien die beste Auswahl an fortschrittlichen, hocheffizienten Bausteinen für IGBT-Schaltungen mit den üblicherweise verwendeten Schaltfrequenzen. Die heute angekündigten IGBTs der S-Serie bieten Nennströme von 15 A, 25 A und 40 A in Standard- oder Long-Lead-TO-247-Gehäusen. Alle Bausteine enthalten im selben Gehäuse eine Freilaufdiode der neuesten Generation, die dank ihrer schnellen Sperrverzögerungs-Eigenschaften und ihrer besonders sanften Charakteristik für sehr geringe EMI-Effekte und Einschaltverluste sorgt. Die Preise beginnen bei 2,80 US-Dollar für die 15-A-Version STGW15S120DF3 im Standard-TO-247-Gehäuse (ab 1.000 Stück).
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2019.04.25 12:19 V13.2.1-1