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© Anvo-Systems Dresden Komponenten | 16 Juni 2015

Anvo-Systems stellt 1 Mbit Serial SPI nvSRAM mit 66 MHz vor

Anvo-Systems Dresden, ein Spezialist fĂŒr nicht-flĂŒchtige Speicherprodukte, prĂ€sentiert das serielle nvSRAM ANV32AA1W mit einer hohen SpeicherkapazitĂ€t von 1 Mbit.
Das ist eine ProduktankĂŒndigung von Anvo-Systems Dresden. Allein der Emittent ist fĂŒr den Inhalt verantwortlich.
Das nvSRAM (non-volatile SRAM) verfĂŒgt in jeder Speicherzelle ĂŒber ein nicht-flĂŒchtiges SONOS (Silizium-Oxid-Nitrid-Oxid-Silizium) Flash-Speicherelement. Die robuste, kostenoptimierte SONOS-Technologie ermöglicht die nicht-flĂŒchtige Speicherung aller Daten bei einem unvorhersehbaren Abfall der Betriebsspannung unter einen definierten Wert in weniger als 15 ms. Der nicht-flĂŒchtige Speicherbaustein bietet daneben die fĂŒr SRAMs typischen Vorteile wie kurze Zugriffszeiten und unbegrenzte Lese- und Schreibzyklen (R/W Endurance).

Das serielle nvSRAM ANV32AA1W mit Double Memory-Architektur weist eine Organisation von 128k Worten zu je 8 Bit auf und unterstĂŒtzt SPI Modes 0 und 3. Besonders hervorzuheben ist die hohe Taktrate von 66 MHz.

Eine integrierte Power Down-FunktionalitĂ€t (Hibernate Mode) mit einem Standby-Strom Ihib von kleiner als 1 ”A sorgt fĂŒr einen geringen Stromverbrauch des Systems. Die Recovery-Zeit aus den Power Down-Modus wird mit nur 60 ”s angegeben. Einzigartige Sicherheits-Features wie die prĂŒfsummengeschĂŒtzten Speicherzugriffe Secure READ und Secure WRITE sowie ein Time Monitoring sorgen fĂŒr eine hohe ZuverlĂ€ssigkeit des nvSRAMs.

Der Speicherbaustein kann mit 2,7 V - 3,6 V betrieben werden. Geliefert wird das Produkt wahlweise in einem 8 Pin DFN oder 16 Pin 169 mil TSSOP GehĂ€use fĂŒr den kommerziellen oder industriellen (-40 °C bis +85 °C) Temperaturbereich.

Das 1 Mbit nvSRAM ANV32AA1W eignet sich u.a. fĂŒr Anwendungen in der Medizintechnik, Industrieautomatisierung z.B. Motorsteuerung oder Robotik, Messtechnik, GebĂ€udeautomatisierung und in Smart Metering-Systemen.
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2019.01.17 14:20 V11.11.0-2